Si-Ge系低温エピタキシャル成長と微細MOSテバイスの高性能化に関する研究

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著者

    • 後藤, 欣哉 ゴトウ, キンヤ

書誌事項

タイトル

Si-Ge系低温エピタキシャル成長と微細MOSテバイスの高性能化に関する研究

著者名

後藤, 欣哉

著者別名

ゴトウ, キンヤ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5627号

学位授与年月日

1996-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p3 (0008.jp2)
  5. 参考文献 / p4 (0009.jp2)
  6. 第2章 高清浄減圧CVD法によるSi/[化学式]/Siヘテロ構造の形成 / p5 (0010.jp2)
  7. 2.1 序言 / p5 (0010.jp2)
  8. 2.2 高清浄減圧CVD法による高品質薄膜の形成 / p6 (0011.jp2)
  9. 2.3 実験結果 / p8 (0013.jp2)
  10. 2.4 結言 / p16 (0021.jp2)
  11. 参考文献 / p17 (0022.jp2)
  12. 第3章 高清浄減圧CVD法による[化学式]エピタキシャル成長とPおよびBドーピング / p18 (0023.jp2)
  13. 3.1 序言 / p18 (0023.jp2)
  14. 3.2 実験方法 / p18 (0023.jp2)
  15. 3.3 [化学式]エピタキシャル成長における堆積速度とGe比率の制御 / p19 (0024.jp2)
  16. 3.4 PとBのin-situドーピング / p23 (0028.jp2)
  17. 3.5 結言 / p31 (0036.jp2)
  18. 参考文献 / p32 (0037.jp2)
  19. 第4章 [化学式]チャネルMOSFETの製作 / p34 (0039.jp2)
  20. 4.1 序言 / p34 (0039.jp2)
  21. 4.2 [化学式]チャネルMOSFETの原理 / p35 (0040.jp2)
  22. 4.3 [化学式]チャネルMOSFETの製作 / p37 (0042.jp2)
  23. 4.4 Si/[化学式]/Siヘテロ構造MOSダイオードのC-V特性 / p42 (0047.jp2)
  24. 4.5 [化学式]チャネルMOSFET特性 / p44 (0049.jp2)
  25. 4.5 結言 / p49 (0054.jp2)
  26. 参考文献 / p50 (0055.jp2)
  27. 第5章 ドープト[化学式]選択成長による自己整合極浅接合形成と超微細MOSFETの製作 / p51 (0056.jp2)
  28. 5.1 序言 / p51 (0056.jp2)
  29. 5.2 自己整合極浅接合形成法 / p52 (0057.jp2)
  30. 5.3 S³EMOSFETの製作 / p53 (0058.jp2)
  31. 5.4 実験結果と考察 / p54 (0059.jp2)
  32. 5.5 結言 / p63 (0068.jp2)
  33. 参考文献 / p64 (0069.jp2)
  34. 第6章 結論 / p65 (0070.jp2)
  35. 謝辞 / p68 (0073.jp2)
  36. 本研究に関する発表 / p69 (0074.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000134877
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000973957
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000299191
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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