LSIにおける高機能配線接続技術に関する研究

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著者

    • 鈴木, 浩 スズキ, ヒロシ

書誌事項

タイトル

LSIにおける高機能配線接続技術に関する研究

著者名

鈴木, 浩

著者別名

スズキ, ヒロシ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5628号

学位授与年月日

1996-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本論文の構成 / p2 (0006.jp2)
  5. 第2章 選択タングステンCVDによる高速穴埋め技術に関する研究 / p3 (0007.jp2)
  6. 2.1 緒言 / p3 (0007.jp2)
  7. 2.2 研究の背景 / p3 (0007.jp2)
  8. 2.3 コールドサセプタを用いた選択タングステンCVD装置 / p6 (0010.jp2)
  9. 2.4 選択CVDによるタングステンの高速成長技術 / p8 (0012.jp2)
  10. 2.5 タングステンの選択成長メカニズム / p15 (0019.jp2)
  11. 2.6 結言 / p18 (0022.jp2)
  12. 参考文献 / p18 (0022.jp2)
  13. 第3章 アンチヒューズによるLSI配線接続技術 / p21 (0025.jp2)
  14. 3.1 緒言 / p21 (0025.jp2)
  15. 3.2 アンチヒューズの設計指針・研究目標 / p24 (0028.jp2)
  16. 3.3 a-Siを用いたアンチヒューズの基本特性評価 / p27 (0031.jp2)
  17. 3.4 a-Si成膜条件のアンチヒューズに与える影響評価 / p39 (0043.jp2)
  18. 3.5 アンチヒューズによる接続形成のメカニズムについて / p50 (0054.jp2)
  19. 3.6 結言 / p56 (0060.jp2)
  20. 参考文献 / p57 (0061.jp2)
  21. 第4章 結論 / p58 (0062.jp2)
  22. 謝辞 / p59 (0063.jp2)
  23. 本研究関連論文 / p60 (0064.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000134878
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000973958
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000299192
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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