超高速LSI用金属配線形成に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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超高速LSI用金属配線形成に関する研究
- 著者名
-
竹脇, 利至
- 著者別名
-
タケワキ, トシユキ
- 学位授与大学
-
東北大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
甲第5630号
- 学位授与年月日
-
1996-03-26
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1-1 半導体技術の発展 / p1 (0007.jp2)
- 1-2 多層配線技術の課題 / p2 (0008.jp2)
- 1-3 配線材料および配線形成プロセス技術の歴史 / p3 (0009.jp2)
- 1-4 銅薄膜形成技術 / p5 (0011.jp2)
- 1-5 銅配線実用化への技術的課題 / p6 (0012.jp2)
- 1-6 本論文の構成 / p7 (0013.jp2)
- 1-7 参考文献 / p10 (0016.jp2)
- 第2章 低エネルギイオン照射プロセスを用いた高性能銅薄膜形成 / p13 (0019.jp2)
- 2-1 はじめに / p13 (0019.jp2)
- 2-2 RF-DC結合バイアススパッタ装置 / p15 (0021.jp2)
- 2-3 実験方法 / p18 (0024.jp2)
- 2-4 結果及び考察 / p19 (0025.jp2)
- 2-5 配線形成における新しいウェットエッチングプロセスの開発 / p32 (0038.jp2)
- 2-6 タンタル上における銅の巨大グレイン成長と下地デバイスに対する影響 / p34 (0040.jp2)
- 2-7 まとめ / p43 (0049.jp2)
- 2-8 参考文献 / p44 (0050.jp2)
- 第3章 大電流ストレスを用いたエレクトロマイグレーション加速劣化試験 / p46 (0052.jp2)
- 3-1 はじめに / p46 (0052.jp2)
- 3-2 新しいエレクトロマイグレーション加速劣化試験 / p48 (0054.jp2)
- 3-3 Cu配線のエレクトロマイグレーション耐性評価 / p57 (0063.jp2)
- 3-4 まとめ / p72 (0078.jp2)
- 3-5 参考文献 / p74 (0080.jp2)
- 第4章 Cu配線のパルス電流による新しい加速劣化試験 / p75 (0081.jp2)
- 4-1 はじめに / p75 (0081.jp2)
- 4-2 新しく開発したパルス電流による加速劣化試験の測定方法 / p76 (0082.jp2)
- 4-3 Cu薄膜のパルス電流による新しい加速劣化試験結果及び考察 / p82 (0088.jp2)
- 4-4 まとめ / p90 (0096.jp2)
- 4-5 参考文献 / p91 (0097.jp2)
- 第5章 表面シリサイドパッシベーション銅配線技術 / p92 (0098.jp2)
- 5-1 はじめに / p92 (0098.jp2)
- 5-2 自己整合表面シリサイドパッシベーション技術 / p93 (0099.jp2)
- 5-3 表面シリサイドパッシベーションジャイアントグレインCu配線の電気的特性及び､エレクトロマイグレーション耐性 / p96 (0102.jp2)
- 5-4 まとめ / p108 (0114.jp2)
- 5-5 参考文献 / p109 (0115.jp2)
- 第6章 Cu-Mg合金を用いた高信頼性配線技術 / p110 (0116.jp2)
- 6-1 はじめに / p110 (0116.jp2)
- 6-2 低イオンエネルギ照射プロセスを用いたジャイアントグレインCu-Mg合金薄膜の形成およびその電気的特性 / p111 (0117.jp2)
- 6-3 表面シリサイドパッシベーション(SSP)を施したシャイアントグレインCu-Mg合金配線の電気的特性およびエレクトロマイグレーション耐性 / p116 (0122.jp2)
- 6-4 まとめ / p127 (0133.jp2)
- 6-5 参考文献 / p129 (0135.jp2)
- 第7章 結論 / p130 (0136.jp2)
- 謝辞 / p132 (0138.jp2)
- 本研究に関する発表 / p134 (0140.jp2)
- 付録 / p137 (0143.jp2)