低エネルギイオン照射を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成に関する研究

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著者

    • 渡邉, 仁三 ワタナベ, ジンゾウ

書誌事項

タイトル

低エネルギイオン照射を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成に関する研究

著者名

渡邉, 仁三

著者別名

ワタナベ, ジンゾウ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5634号

学位授与年月日

1996-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 ト-タル低温化プロセス / p3 (0008.jp2)
  5. 1.3 酸化プロセスの低温化 / p4 (0009.jp2)
  6. 1.4 低エネルギイオン照射によるゲ-ト酸化膜の低温形成 / p5 (0010.jp2)
  7. 1.5 二周波励起プラズマプロセス装置 / p8 (0013.jp2)
  8. 1.6 本論文の構成 / p9 (0014.jp2)
  9. 第2章 絶縁膜形成用二周波励起プラズマプロセス装置 / p11 (0016.jp2)
  10. 2.1 はじめに / p11 (0016.jp2)
  11. 2.2 実験装置におけるプロセス雰囲気の超高清浄化 / p12 (0017.jp2)
  12. 2.3 金属汚染の防止 / p16 (0021.jp2)
  13. 2.4 イオン照射エネルギのシミュレーション / p18 (0023.jp2)
  14. 2.5 照射イオンの低エネルギ化 / p22 (0027.jp2)
  15. 2.6 静電チャックの吸着力解析 / p26 (0031.jp2)
  16. 2.7 イオン照射密度のシミュレーション / p31 (0036.jp2)
  17. 2.8 結論 / p33 (0038.jp2)
  18. 第3章 低エネルギイオン照射を用いた酸化膜の形成 / p35 (0040.jp2)
  19. 3.1 はじめに / p35 (0040.jp2)
  20. 3.2 実験方法 / p36 (0041.jp2)
  21. 3.3 結果及び考察 / p39 (0044.jp2)
  22. 3.4 結論 / p50 (0055.jp2)
  23. 第4章 低エネルギイオン照射酸化膜の電気的特性 / p51 (0056.jp2)
  24. 4.1 はじめに / p51 (0056.jp2)
  25. 4.2 MOSダイオ-ドの電気的特性 / p53 (0058.jp2)
  26. 4.3 実験方法 / p54 (0059.jp2)
  27. 4.4 結果及び考察 / p63 (0068.jp2)
  28. 4.5 結論 / p74 (0079.jp2)
  29. 第5章 結論 / p76 (0081.jp2)
  30. 参考文献 / p79 (0084.jp2)
  31. 謝辞 / p86 (0091.jp2)
  32. 本研究に関する発表 / p88 (0093.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000134884
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000973964
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000299198
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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