半導体表面ウェット洗浄プロセスの最適化の研究

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著者

    • 今岡, 孝之 イマオカ, タカシ

書誌事項

タイトル

半導体表面ウェット洗浄プロセスの最適化の研究

著者名

今岡, 孝之

著者別名

イマオカ, タカシ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5635号

学位授与年月日

1996-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章.序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p3 (0008.jp2)
  5. 1.3 本論文の構成 / p4 (0009.jp2)
  6. 参考文献 / p7 (0012.jp2)
  7. 第2章.半導体ウェットプロセス用超純水製造装置の高性能化 / p8 (0013.jp2)
  8. 2.1 はじめに / p8 (0013.jp2)
  9. 2.2 自然酸化膜形成防止のための極低溶存酸素超純水システム / p8 (0013.jp2)
  10. 2.3 無停止運転可能超純水システムのための連続オゾン殺菌システム / p15 (0020.jp2)
  11. 2.4 まとめ / p19 (0024.jp2)
  12. 参考文献 / p20 (0025.jp2)
  13. 第3章.液中金属不純物のシリコンウェハ表面への偏析と除去 / p22 (0027.jp2)
  14. 3.1 はじめに / p22 (0027.jp2)
  15. 3.2 シリコンウェハ洗浄の実際と金属不純物 / p24 (0029.jp2)
  16. 3.3 固液界面における金属不純物偏析評価方法 / p27 (0032.jp2)
  17. 3.4 超純水とシリコンウェハ界面での金属不純物偏析 / p30 (0035.jp2)
  18. 3.5 薬液とシリコンウェハ界面での金属不純物偏析 / p38 (0043.jp2)
  19. 3.6 フッ酸およびフッ酸過酸化水素水溶液による金属不純物除去 / p42 (0047.jp2)
  20. 3.7 界面活性剤による金属不純物のシリコンウェハ表面への付着防止 / p50 (0055.jp2)
  21. 3.8 まとめ / p52 (0057.jp2)
  22. 参考文献 / p54 (0059.jp2)
  23. 第4章.半導体表面ウェットプロセスへの電解イオン水の応用 / p57 (0062.jp2)
  24. 4.1 はじめに / p57 (0062.jp2)
  25. 4.2 電解イオン水製造装置 / p59 (0064.jp2)
  26. 4.3 超純水および希薄電解質水溶液の電解 / p62 (0067.jp2)
  27. 4.4 電解イオン水の化学的特性 / p62 (0067.jp2)
  28. 4.5.電解イオン水による金属不純物の除去 / p65 (0070.jp2)
  29. 4.6 電解イオン水による微粒子の除去 / p68 (0073.jp2)
  30. 4.7 電解イオン水による洗浄効果 / p74 (0079.jp2)
  31. 4.8 電解イオン水へのメガソニック照射による化学的性質への影響 / p75 (0080.jp2)
  32. 4.9 洗浄プロセスへの電解イオン水使用による環境への負荷軽減 / p80 (0085.jp2)
  33. 4.10 まとめ / p84 (0089.jp2)
  34. 参考文献 / p86 (0091.jp2)
  35. 第5章.結論(総括) / p89 (0094.jp2)
  36. 謝辞 / p92 (0097.jp2)
  37. 本研究に関する発表 / p93 (0098.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000134885
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000973965
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000299199
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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