半導体表面ウェット洗浄プロセスの最適化の研究
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Bibliographic Information
- Title
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半導体表面ウェット洗浄プロセスの最適化の研究
- Author
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今岡, 孝之
- Author(Another name)
-
イマオカ, タカシ
- University
-
東北大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
甲第5635号
- Degree year
-
1996-03-26
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / (0004.jp2)
- 第1章.序論 / p1 (0006.jp2)
- 1.1 研究の背景 / p1 (0006.jp2)
- 1.2 本研究の目的 / p3 (0008.jp2)
- 1.3 本論文の構成 / p4 (0009.jp2)
- 参考文献 / p7 (0012.jp2)
- 第2章.半導体ウェットプロセス用超純水製造装置の高性能化 / p8 (0013.jp2)
- 2.1 はじめに / p8 (0013.jp2)
- 2.2 自然酸化膜形成防止のための極低溶存酸素超純水システム / p8 (0013.jp2)
- 2.3 無停止運転可能超純水システムのための連続オゾン殺菌システム / p15 (0020.jp2)
- 2.4 まとめ / p19 (0024.jp2)
- 参考文献 / p20 (0025.jp2)
- 第3章.液中金属不純物のシリコンウェハ表面への偏析と除去 / p22 (0027.jp2)
- 3.1 はじめに / p22 (0027.jp2)
- 3.2 シリコンウェハ洗浄の実際と金属不純物 / p24 (0029.jp2)
- 3.3 固液界面における金属不純物偏析評価方法 / p27 (0032.jp2)
- 3.4 超純水とシリコンウェハ界面での金属不純物偏析 / p30 (0035.jp2)
- 3.5 薬液とシリコンウェハ界面での金属不純物偏析 / p38 (0043.jp2)
- 3.6 フッ酸およびフッ酸過酸化水素水溶液による金属不純物除去 / p42 (0047.jp2)
- 3.7 界面活性剤による金属不純物のシリコンウェハ表面への付着防止 / p50 (0055.jp2)
- 3.8 まとめ / p52 (0057.jp2)
- 参考文献 / p54 (0059.jp2)
- 第4章.半導体表面ウェットプロセスへの電解イオン水の応用 / p57 (0062.jp2)
- 4.1 はじめに / p57 (0062.jp2)
- 4.2 電解イオン水製造装置 / p59 (0064.jp2)
- 4.3 超純水および希薄電解質水溶液の電解 / p62 (0067.jp2)
- 4.4 電解イオン水の化学的特性 / p62 (0067.jp2)
- 4.5.電解イオン水による金属不純物の除去 / p65 (0070.jp2)
- 4.6 電解イオン水による微粒子の除去 / p68 (0073.jp2)
- 4.7 電解イオン水による洗浄効果 / p74 (0079.jp2)
- 4.8 電解イオン水へのメガソニック照射による化学的性質への影響 / p75 (0080.jp2)
- 4.9 洗浄プロセスへの電解イオン水使用による環境への負荷軽減 / p80 (0085.jp2)
- 4.10 まとめ / p84 (0089.jp2)
- 参考文献 / p86 (0091.jp2)
- 第5章.結論(総括) / p89 (0094.jp2)
- 謝辞 / p92 (0097.jp2)
- 本研究に関する発表 / p93 (0098.jp2)
