高品質薄膜トランジスタの開発に関する研究

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著者

    • 笠間, 泰彦 カサマ, ヤスヒコ

書誌事項

タイトル

高品質薄膜トランジスタの開発に関する研究

著者名

笠間, 泰彦

著者別名

カサマ, ヤスヒコ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5636号

学位授与年月日

1996-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 要旨 / p1 (0006.jp2)
  3. 第1章 序論 / p5 (0010.jp2)
  4. 1.1 はじめに / p5 (0010.jp2)
  5. 1.2 本研究の目的 / p18 (0023.jp2)
  6. 1.3 本論文の構成 / p19 (0024.jp2)
  7. 第2章 低エネルギー・イオン照射プロセスによるTFTゲート絶縁膜用プラズマCVD-SiNx薄膜の高品質化技術の開発 / p23 (0028.jp2)
  8. 2.1 プラズマCVDにおけるプロセスパラメータ / p23 (0028.jp2)
  9. 2.2 プラズマ・パラメータのリアルタイムモニタリング / p26 (0031.jp2)
  10. 3.3 プラズマCVDによるSiNxゲート絶縁膜の高品質化 / p32 (0037.jp2)
  11. 2.4 250℃同温成膜によるTFTアレイの作成 / p54 (0059.jp2)
  12. 2.5 まとめと課題 / p56 (0061.jp2)
  13. 第3章 Siの高精度ウェットエッチング技術の開発 / p62 (0067.jp2)
  14. 3.1 はじめに / p62 (0067.jp2)
  15. 3.2 Siのエッチング反応のメカニズムについて / p65 (0070.jp2)
  16. 3.3 実験方法 / p66 (0071.jp2)
  17. 3.4 結果と考察 / p67 (0072.jp2)
  18. 3.5 まとめと課題 / p80 (0085.jp2)
  19. 第4章 TFT・LCDトータルプロセス / p83 (0088.jp2)
  20. 4.1 TFT・LCDの試作 / p83 (0088.jp2)
  21. 4.2 まとめと課題 / p86 (0091.jp2)
  22. 第5章 結論 / p92 (0097.jp2)
  23. 謝辞 / p100 (0105.jp2)
  24. 本研究に関する発表 / p102 (0107.jp2)
  25. 参考文献 / p105 (0110.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000134886
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000973966
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000299200
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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