高品質薄膜トランジスタの開発に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
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高品質薄膜トランジスタの開発に関する研究
- Author
-
笠間, 泰彦
- Author(Another name)
-
カサマ, ヤスヒコ
- University
-
東北大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
甲第5636号
- Degree year
-
1996-03-26
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / (0004.jp2)
- 要旨 / p1 (0006.jp2)
- 第1章 序論 / p5 (0010.jp2)
- 1.1 はじめに / p5 (0010.jp2)
- 1.2 本研究の目的 / p18 (0023.jp2)
- 1.3 本論文の構成 / p19 (0024.jp2)
- 第2章 低エネルギー･イオン照射プロセスによるTFTゲート絶縁膜用プラズマCVD-SiNx薄膜の高品質化技術の開発 / p23 (0028.jp2)
- 2.1 プラズマCVDにおけるプロセスパラメータ / p23 (0028.jp2)
- 2.2 プラズマ･パラメータのリアルタイムモニタリング / p26 (0031.jp2)
- 3.3 プラズマCVDによるSiNxゲート絶縁膜の高品質化 / p32 (0037.jp2)
- 2.4 250℃同温成膜によるTFTアレイの作成 / p54 (0059.jp2)
- 2.5 まとめと課題 / p56 (0061.jp2)
- 第3章 Siの高精度ウェットエッチング技術の開発 / p62 (0067.jp2)
- 3.1 はじめに / p62 (0067.jp2)
- 3.2 Siのエッチング反応のメカニズムについて / p65 (0070.jp2)
- 3.3 実験方法 / p66 (0071.jp2)
- 3.4 結果と考察 / p67 (0072.jp2)
- 3.5 まとめと課題 / p80 (0085.jp2)
- 第4章 TFT･LCDトータルプロセス / p83 (0088.jp2)
- 4.1 TFT･LCDの試作 / p83 (0088.jp2)
- 4.2 まとめと課題 / p86 (0091.jp2)
- 第5章 結論 / p92 (0097.jp2)
- 謝辞 / p100 (0105.jp2)
- 本研究に関する発表 / p102 (0107.jp2)
- 参考文献 / p105 (0110.jp2)