SiC単結晶の育成と結晶評価に関する研究

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著者

    • 金谷, 正敏 カナヤ, マサトシ

書誌事項

タイトル

SiC単結晶の育成と結晶評価に関する研究

著者名

金谷, 正敏

著者別名

カナヤ, マサトシ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5637号

学位授与年月日

1996-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 第1節 本研究の背景 / p1 (0007.jp2)
  4. 第2節 目的 / p14 (0020.jp2)
  5. 参考文献 / p16 (0022.jp2)
  6. 第2章 実験方法 / p19 (0025.jp2)
  7. 第1節 SiC単結晶育成 / p19 (0025.jp2)
  8. 1)単結晶育成法(改良型レーリー法) / p19 (0025.jp2)
  9. 2)不純物添加法 / p20 (0026.jp2)
  10. 第2節 構造解析と結晶性評価 / p22 (0028.jp2)
  11. 1)X線回折法 / p22 (0028.jp2)
  12. 2)光学顕微鏡観察法 / p22 (0028.jp2)
  13. 3)偏光顕微鏡観察法 / p22 (0028.jp2)
  14. 4)ラザフォード後方散乱法 / p22 (0028.jp2)
  15. 5)KOHエッチング法 / p23 (0029.jp2)
  16. 第3節 物性測定 / p26 (0032.jp2)
  17. 1)吸収係数 / p26 (0032.jp2)
  18. 2)格子振動状態 / p26 (0032.jp2)
  19. 3)結晶硬度 / p26 (0032.jp2)
  20. 第4節 ウェハ表面構造および電気特性評価 / p28 (0034.jp2)
  21. (1)ウェハ加工法 / p28 (0034.jp2)
  22. (2)ウェハ表面構造評価 / p28 (0034.jp2)
  23. (3)電極形成法 / p29 (0035.jp2)
  24. (4)電気特性評価 / p29 (0035.jp2)
  25. 参考文献 / p32 (0038.jp2)
  26. 第3章 SiC単結晶育成 / p33 (0039.jp2)
  27. 第1節 緒言 / p33 (0039.jp2)
  28. 第2節 大口径単結晶育成法 / p35 (0041.jp2)
  29. 1)単結晶炉の構造 / p35 (0041.jp2)
  30. 2)るつぼ構造 / p37 (0043.jp2)
  31. 3)成長条件の確立 / p40 (0046.jp2)
  32. 4)結晶評価 / p43 (0049.jp2)
  33. 第3節 結言 / p55 (0061.jp2)
  34. 参考文献 / p56 (0062.jp2)
  35. 第4章 SiC単結晶の結晶欠陥評価と低欠陥育成 / p58 (0064.jp2)
  36. 第1節 緒言 / p58 (0064.jp2)
  37. 第2節 結晶欠陥評価 / p61 (0067.jp2)
  38. 1)ポリタイプ / p61 (0067.jp2)
  39. 2)マイクロパイプ / p68 (0074.jp2)
  40. 第3節 6H形と4H形の分離育成法 / p76 (0082.jp2)
  41. 1)成長条件と分離育成法 / p76 (0082.jp2)
  42. 2)ポリタイプ生成についての検討 / p78 (0084.jp2)
  43. 第4節 マイクロパイプ欠陥低減 / p83 (0089.jp2)
  44. 1)マイクロパイプの伝播 / p83 (0089.jp2)
  45. 2)マイクロパイプの発生の抑止 / p84 (0090.jp2)
  46. 第5節 結言 / p89 (0095.jp2)
  47. 参考文献 / p91 (0097.jp2)
  48. 第5章 SiC単結晶の電気的性質 / p93 (0099.jp2)
  49. 第1節 緒言 / p93 (0099.jp2)
  50. 第2節 単結晶のキャリア濃度制御法 / p95 (0101.jp2)
  51. 1)結晶育成条件とn型ウェハのキャリア濃度の相関 / p95 (0101.jp2)
  52. 2)結晶育成中の窒素不純物の取り込み過程の検討 / p110 (0116.jp2)
  53. 第3節 結言 / p111 (0117.jp2)
  54. 参考文献 / p113 (0119.jp2)
  55. 第6章 ウェハ表面加工と電気的性質 / p114 (0120.jp2)
  56. 第1節 緒言 / p114 (0120.jp2)
  57. 第2節 加工に伴う変質層の評価 / p116 (0122.jp2)
  58. 1)研磨による変質層の厚さ / p116 (0122.jp2)
  59. 2)加工変質層の低減法 / p126 (0132.jp2)
  60. 第3節 ショットキー障壁ダイオード形成によるウェハ評価 / p131 (0137.jp2)
  61. 1)表面エッチングとリーク電流特性 / p131 (0137.jp2)
  62. 2)ダイオードの高温動作時の電流-電圧特性 / p138 (0144.jp2)
  63. 3)ダイオードのブレイクダウン電圧のウェハキャリア濃度依存性 / p138 (0144.jp2)
  64. 第4節 結言 / p142 (0148.jp2)
  65. 参考文献 / p144 (0150.jp2)
  66. 第7章 結論 / p145 (0151.jp2)
  67. 謝辞 / (0155.jp2)
4アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000134887
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000973967
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000299201
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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