Electrical properties and reliability of thin thermally grown SiO[2] films 薄いシリコン酸化膜の電気的性質と信頼性

この論文をさがす

著者

    • 木村, 幹広 キムラ, ミキヒロ

書誌事項

タイトル

Electrical properties and reliability of thin thermally grown SiO[2] films

タイトル別名

薄いシリコン酸化膜の電気的性質と信頼性

著者名

木村, 幹広

著者別名

キムラ, ミキヒロ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5638号

学位授与年月日

1996-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. Contents / p5 (0007.jp2)
  2. Chapter1 Introduction / p1 (0010.jp2)
  3. ■BACKGROUND / p1 (0010.jp2)
  4. ■OUTLINE / p3 (0012.jp2)
  5. PART I INTRINSIC PROPERTIES / p10 (0019.jp2)
  6. Chapter2 Time-Dependent Dielectric Breakdown(TDDB) / p11 (0020.jp2)
  7. ■INTRODUCTION / p11 (0020.jp2)
  8. ■THEORETICAL BACKGROUND / p13 (0022.jp2)
  9. ■EXPERIMENT / p17 (0026.jp2)
  10. ■LONG-TERM TDDB TESTS / p19 (0028.jp2)
  11. ■FIELD ACCELERATION MODEL / p20 (0029.jp2)
  12. ■LIFETIME TO TDDB FOR VARIOUS OXIDE THICKNESSES / p23 (0032.jp2)
  13. ■SUMMARY / p25 (0034.jp2)
  14. Chapter3 Stress-Induced Leakage Current(SILC) / p44 (0053.jp2)
  15. ■INTRODUCTION / p44 (0053.jp2)
  16. ■EXPERIMENT / p46 (0055.jp2)
  17. ■STRESS-INDUCED LEAKAGE CURRENT(SILC) / p47 (0056.jp2)
  18. ■OXIDE TRAP CHARGES AND INTERFACE STATES / p48 (0057.jp2)
  19. ■NEUTRAL OXIDE TRAPS / p49 (0058.jp2)
  20. ■CONDUCTION MECHANISM OF SILC / p51 (0060.jp2)
  21. ■ORIGIN OF SILC / p54 (0063.jp2)
  22. ■SUMMARY / p55 (0064.jp2)
  23. Chapter4 Time-Dependent Dielectric Degradation (TDDD) / p74 (0083.jp2)
  24. ■INTRODUCTION / p74 (0083.jp2)
  25. ■EXPERIMENT / p75 (0084.jp2)
  26. ■TIME-DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN(TDDB) / p76 (0085.jp2)
  27. ■OXIDE TRAP CHARGE AND SI/SiO₂ INTERFACE STATE / p77 (0086.jp2)
  28. ■STRESS-INDUCED LEAKAGE CURRENT(SILC) / p78 (0087.jp2)
  29. ■TIME-DEPENDENT DIELECTRIC DEGRADATION(TDDD) / p79 (0088.jp2)
  30. ■SUMMARY / p80 (0089.jp2)
  31. PART II EXTRINSIC PROPERTIES / p98 (0107.jp2)
  32. Chapter5 Surface Microroughness / p99 (0108.jp2)
  33. ■INTRODUCTION / p99 (0108.jp2)
  34. ■SAMPLE PREPARATION / p100 (0109.jp2)
  35. ■AFM OBSERVATION / p101 (0110.jp2)
  36. ■OXIDE TRAPPED CHARGES / p102 (0111.jp2)
  37. ■Si/SiO₂ INTERFACE STATES / p103 (0112.jp2)
  38. ■NEUTRAL OXIDE TRAPS / p104 (0113.jp2)
  39. ■OXIDE BREAKDOWN / p106 (0115.jp2)
  40. ■SUMMARY / p107 (0116.jp2)
  41. Chapter 6 Organic Carbon Contamination / p122 (0131.jp2)
  42. ■INTRODUCTION / p122 (0131.jp2)
  43. ■EXPERIMENT / p123 (0132.jp2)
  44. ■CARBON ADSORPTION / p125 (0134.jp2)
  45. ■ELECTRICAL PROPERTIES / p128 (0137.jp2)
  46. ■EXTRINSIC OXIDE BREAKDOWN / p131 (0140.jp2)
  47. ■SUMMARY / p136 (0145.jp2)
  48. Chapter 7 γ-ray Radiation Damage / p160 (0169.jp2)
  49. ■INTRODUCTION / p160 (0169.jp2)
  50. ■EXPERIMENT / p161 (0170.jp2)
  51. ■LOCALIZED INTERFACE STATES INDUCED BY RADIATION / p163 (0172.jp2)
  52. ■LOCALIZED INTERFACE STATE INDUCED BY POST-IRRADIATION ANNEAL / p164 (0173.jp2)
  53. ■GENERATION MODEL FOR LDOS-3 / p166 (0175.jp2)
  54. ■CHARACTERISTICS OF LDOS-3 / p168 (0177.jp2)
  55. ■SUMMARY / p170 (0179.jp2)
  56. Chapter 8 Conclusions / p187 (0196.jp2)
  57. ■FUTURE WORK / p187 (0196.jp2)
  58. ■SUMMARY / p189 (0198.jp2)
7アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000134888
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000973968
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000299202
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ