BASIS・νMOS融合入力画像処理の研究

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著者

    • 須川, 成利 スカワ, シゲトシ

書誌事項

タイトル

BASIS・νMOS融合入力画像処理の研究

著者名

須川, 成利

著者別名

スカワ, シゲトシ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5641号

学位授与年月日

1996-03-26

注記・抄録

博士論文

課程

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p3 (0006.jp2)
  3. 第2章 光信号電荷増幅素子の動作原理と理論的考察 / p8 (0011.jp2)
  4. 2.1 はじめに / p8 (0011.jp2)
  5. 2.2 高感度化の理想的限界 / p10 (0013.jp2)
  6. 2.3 従来の高感度化の試み / p12 (0015.jp2)
  7. 2.4 光信号電荷増幅素子の構成 / p15 (0018.jp2)
  8. 2.5 光信号電荷増幅素子のS/N / p19 (0022.jp2)
  9. 2.6 アモルファス材料の優位性 / p26 (0029.jp2)
  10. 2.7 BASIS上への積層 / p29 (0032.jp2)
  11. 2.8 まとめ / p31 (0034.jp2)
  12. 第3章 光信号電荷増幅素子の作成と動作特性 / p33 (0036.jp2)
  13. 3.1 はじめに / p33 (0036.jp2)
  14. 3.2 広レバンドギャップのa-SiC:Hの形成 / p34 (0037.jp2)
  15. 3.3 低残像PINダイオードの実現 / p38 (0041.jp2)
  16. 3.4 アモルファス材料中の光衝突イオン化 / p41 (0044.jp2)
  17. 3.5 素子の作成 / p44 (0047.jp2)
  18. 3.6 素子の電気的特性 / p48 (0051.jp2)
  19. 3.7 a-SiC:Hの高品質化 / p58 (0061.jp2)
  20. 3.8 まとめ / p60 (0063.jp2)
  21. 第4章 BASIS高機能固体撮像素子 / p62 (0065.jp2)
  22. 4.1 はじめに / p62 (0065.jp2)
  23. 4.2 BASISの雑音 / p63 (0066.jp2)
  24. 4.3 BASISメモリセルによる雑音除去 / p67 (0070.jp2)
  25. 4.4 BASISの高機能化 / p73 (0076.jp2)
  26. 4.5 BASIS高機能固体撮像素子の応用 / p78 (0081.jp2)
  27. 4.6 まとめ / p82 (0085.jp2)
  28. 第5章 BAIS・νMOSを融合した高機能固体撮像素子 / p84 (0087.jp2)
  29. 5・1 はじめに / p84 (0087.jp2)
  30. 5.2 アナログ相関演算の必要性 / p85 (0088.jp2)
  31. 5.3 BASIS・νMOS融合アナログ相関器 / p88 (0091.jp2)
  32. 5.4 実用化へ向けた改善 / p98 (0101.jp2)
  33. 5.5 まとめ / p110 (0113.jp2)
  34. 第6章 結論 / p111 (0114.jp2)
  35. 謝辞 / p113 (0116.jp2)
  36. 本研究に関する資料 / p114 (0117.jp2)
  37. 参考文献 / p118 (0121.jp2)
9アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000134891
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000973971
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000299205
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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