低温・低欠陥プラズマCVD法の研究

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著者

    • 鈴木, 伸昌 スズキ, ノブマサ

書誌事項

タイトル

低温・低欠陥プラズマCVD法の研究

著者名

鈴木, 伸昌

著者別名

スズキ, ノブマサ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5642号

学位授与年月日

1996-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. -目次- / p1 (0004.jp2)
  2. 第1章.序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1-1 本研究の背景 / p1 (0007.jp2)
  4. 1-2 平行平板型プラズマCVD法 / p5 (0011.jp2)
  5. 1-3 光アシストプラズマCVD(PAP-CVD)法 / p11 (0017.jp2)
  6. 1-4 本研究の目的と本論文の構成 / p14 (0020.jp2)
  7. 第2章.原理確認用実験機(PAP-1)の開発 / p24 (0030.jp2)
  8. 2-1 はじめに / p24 (0030.jp2)
  9. 2-2 実験 / p25 (0031.jp2)
  10. 2-3 結果と考察 / p28 (0034.jp2)
  11. 2-4 まとめ / p31 (0037.jp2)
  12. 第3章.PAP-CVD法による薄膜形成 / p40 (0046.jp2)
  13. 3-1 保護SiN膜の形成 / p40 (0046.jp2)
  14. 3-2 TFTゲートSiO₂膜の形成 / p45 (0051.jp2)
  15. 3-3 層間SiO₂膜の形成 / p49 (0055.jp2)
  16. 第4章.高密度隔離プラズマ源(CMA)の開発 / p80 (0086.jp2)
  17. 4-1 はじめに / p80 (0086.jp2)
  18. 4-2 開発経過 / p83 (0089.jp2)
  19. 4-3 実験 / p86 (0092.jp2)
  20. 4-4 結果と考察 / p88 (0094.jp2)
  21. 4-5 まとめ / p92 (0098.jp2)
  22. 第5章.高密度隔離プラズマCVD法による薄膜形成 / p104 (0110.jp2)
  23. 5-1 層間SiO₂膜の形成 / p104 (0110.jp2)
  24. 5-2 保護SiN膜の室温形成 / p113 (0119.jp2)
  25. 第6章.結論 / p150 (0156.jp2)
  26. <謝辞> / p153 (0159.jp2)
  27. <発表論文> / p154 (0160.jp2)
  28. <参考文献> / p157 (0163.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000134892
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000973972
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000299206
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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