低温・低欠陥プラズマCVD法の研究
Access this Article
Search this Article
Author
Bibliographic Information
- Title
-
低温・低欠陥プラズマCVD法の研究
- Author
-
鈴木, 伸昌
- Author(Another name)
-
スズキ, ノブマサ
- University
-
東北大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
甲第5642号
- Degree year
-
1996-03-26
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- -目次- / p1 (0004.jp2)
- 第1章.序論 / p1 (0007.jp2)
- 1-1 本研究の背景 / p1 (0007.jp2)
- 1-2 平行平板型プラズマCVD法 / p5 (0011.jp2)
- 1-3 光アシストプラズマCVD(PAP-CVD)法 / p11 (0017.jp2)
- 1-4 本研究の目的と本論文の構成 / p14 (0020.jp2)
- 第2章.原理確認用実験機(PAP-1)の開発 / p24 (0030.jp2)
- 2-1 はじめに / p24 (0030.jp2)
- 2-2 実験 / p25 (0031.jp2)
- 2-3 結果と考察 / p28 (0034.jp2)
- 2-4 まとめ / p31 (0037.jp2)
- 第3章.PAP-CVD法による薄膜形成 / p40 (0046.jp2)
- 3-1 保護SiN膜の形成 / p40 (0046.jp2)
- 3-2 TFTゲートSiO₂膜の形成 / p45 (0051.jp2)
- 3-3 層間SiO₂膜の形成 / p49 (0055.jp2)
- 第4章.高密度隔離プラズマ源(CMA)の開発 / p80 (0086.jp2)
- 4-1 はじめに / p80 (0086.jp2)
- 4-2 開発経過 / p83 (0089.jp2)
- 4-3 実験 / p86 (0092.jp2)
- 4-4 結果と考察 / p88 (0094.jp2)
- 4-5 まとめ / p92 (0098.jp2)
- 第5章.高密度隔離プラズマCVD法による薄膜形成 / p104 (0110.jp2)
- 5-1 層間SiO₂膜の形成 / p104 (0110.jp2)
- 5-2 保護SiN膜の室温形成 / p113 (0119.jp2)
- 第6章.結論 / p150 (0156.jp2)
- <謝辞> / p153 (0159.jp2)
- <発表論文> / p154 (0160.jp2)
- <参考文献> / p157 (0163.jp2)