The study of PbTe crystal growth by vapor pressure control method 蒸気圧制御法によるPbTeの結晶成長に関する研究

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著者

    • Nugraha ヌグラハ

書誌事項

タイトル

The study of PbTe crystal growth by vapor pressure control method

タイトル別名

蒸気圧制御法によるPbTeの結晶成長に関する研究

著者名

Nugraha

著者別名

ヌグラハ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5676号

学位授与年月日

1996-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. Contents / p6 (0009.jp2)
  2. Abstract / p1 (0004.jp2)
  3. Acknowledgment / p4 (0007.jp2)
  4. Contents / p6 (0009.jp2)
  5. Chapter1 Introduction / p1 (0011.jp2)
  6. Chapter2 Growth and Electrical Properties of PbTe Bulk Crystals Grown by Bridgman Method under Controlled Vapor Pressure / p13 (0023.jp2)
  7. 2.1 Introduction / p13 (0023.jp2)
  8. 2.2 Experiment / p15 (0025.jp2)
  9. 2.3 Results and Discussion / p18 (0028.jp2)
  10. 2.4 Conclusion / p27 (0037.jp2)
  11. Chapter3 Growth of PbTe Epitaxial Layers by Temperature Difference under Controlled Vapor Pressure Liquid Phase Epitaxy and their Electrical Properties / p29 (0039.jp2)
  12. 3.1 Introduction / p29 (0039.jp2)
  13. 3.2 Experiment / p30 (0040.jp2)
  14. 3.3 Results and Discussion / p33 (0043.jp2)
  15. 3.4 Conclusion / p43 (0053.jp2)
  16. Chapter4 Current-Voltage Characteristics of PbTe pn diode / p45 (0055.jp2)
  17. 4.1 Introduction / p45 (0055.jp2)
  18. 4.2 Experiment / p45 (0055.jp2)
  19. 4.3 Results and Discussion / p48 (0058.jp2)
  20. 4.4 Conclusion / p70 (0080.jp2)
  21. Chapter5 Growth of[化学式]Epitaxial Layers by Temperature Difference under Controlled Vapor Pressure Liquid Phase Epitaxy and their Electrical Properties / p73 (0083.jp2)
  22. 5.1 Introduction / p73 (0083.jp2)
  23. 5.2 Experiment / p76 (0086.jp2)
  24. 5.3 Results and Discussion / p78 (0088.jp2)
  25. 5.4 Conclusion / p84 (0094.jp2)
  26. Chapter6 Conclusion / p86 (0096.jp2)
  27. Reference / p90 (0100.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000134926
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000135197
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000299240
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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