The study of PbTe crystal growth by vapor pressure control method 蒸気圧制御法によるPbTeの結晶成長に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
The study of PbTe crystal growth by vapor pressure control method
- タイトル別名
-
蒸気圧制御法によるPbTeの結晶成長に関する研究
- 著者名
-
Nugraha
- 著者別名
-
ヌグラハ
- 学位授与大学
-
東北大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
甲第5676号
- 学位授与年月日
-
1996-03-26
注記・抄録
博士論文
目次
- Contents / p6 (0009.jp2)
- Abstract / p1 (0004.jp2)
- Acknowledgment / p4 (0007.jp2)
- Contents / p6 (0009.jp2)
- Chapter1 Introduction / p1 (0011.jp2)
- Chapter2 Growth and Electrical Properties of PbTe Bulk Crystals Grown by Bridgman Method under Controlled Vapor Pressure / p13 (0023.jp2)
- 2.1 Introduction / p13 (0023.jp2)
- 2.2 Experiment / p15 (0025.jp2)
- 2.3 Results and Discussion / p18 (0028.jp2)
- 2.4 Conclusion / p27 (0037.jp2)
- Chapter3 Growth of PbTe Epitaxial Layers by Temperature Difference under Controlled Vapor Pressure Liquid Phase Epitaxy and their Electrical Properties / p29 (0039.jp2)
- 3.1 Introduction / p29 (0039.jp2)
- 3.2 Experiment / p30 (0040.jp2)
- 3.3 Results and Discussion / p33 (0043.jp2)
- 3.4 Conclusion / p43 (0053.jp2)
- Chapter4 Current-Voltage Characteristics of PbTe pn diode / p45 (0055.jp2)
- 4.1 Introduction / p45 (0055.jp2)
- 4.2 Experiment / p45 (0055.jp2)
- 4.3 Results and Discussion / p48 (0058.jp2)
- 4.4 Conclusion / p70 (0080.jp2)
- Chapter5 Growth of[化学式]Epitaxial Layers by Temperature Difference under Controlled Vapor Pressure Liquid Phase Epitaxy and their Electrical Properties / p73 (0083.jp2)
- 5.1 Introduction / p73 (0083.jp2)
- 5.2 Experiment / p76 (0086.jp2)
- 5.3 Results and Discussion / p78 (0088.jp2)
- 5.4 Conclusion / p84 (0094.jp2)
- Chapter6 Conclusion / p86 (0096.jp2)
- Reference / p90 (0100.jp2)
