熱電半導体CrSi[2]単結晶およびBi[2]Te[3]焼結材料の熱電特性異方性に関する研究

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著者

    • 大杉, 功 オオスギ, イサオ

書誌事項

タイトル

熱電半導体CrSi[2]単結晶およびBi[2]Te[3]焼結材料の熱電特性異方性に関する研究

著者名

大杉, 功

著者別名

オオスギ, イサオ

学位授与大学

慶應義塾大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第2962号

学位授与年月日

1996-09-17

注記・抄録

博士論文

資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト

コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文

目次

  1. 論文目録
  2. 目次
  3. 第1章 序論
  4. 1.1 研究目的
  5. 1.2 論文の構成
  6. 参考文献
  7. 第2章 フェルミ・ディラック積分の数値計算
  8. 2.1 はじめに
  9. 2.2 解析的近似
  10. 2.3 級数展開法による数値計算
  11. 2.4 数値積分法による数値計算
  12. 2.5 まとめ
  13. 参考文献
  14. 第3章 単結晶の異方性
  15. 3.1 はじめに
  16. 3.2 等エネルギー面の構造に起因する異方性
  17. 3.3 散乱機構に起因する異方性
  18. 3.4 まとめ
  19. 参考文献
  20. 第4章 CrSi₂単結晶の異方性
  21. 4.1 はじめに
  22. 4.2 実験結果
  23. 4.3 異方的散乱機構に基づく解析
  24. 4.4 まとめ
  25. 参考文献
  26. 第5章 焼結材料の異方性
  27. 5.1 はじめに
  28. 5.2 結晶方位分布関数
  29. 5.3 一軸異方性を有する場合の比抵抗とホール係数におよぼす結晶配向特性の影響
  30. 5.4 まとめ
  31. 参考文献
  32. 第6章 Bi₂Te₃系焼結材料の異方性
  33. 6.1 はじめに
  34. 6.2 実験結果
  35. 6.3 異方的散乱因子の決定
  36. 6.4 異方性のパラメータWの決定
  37. 6.5 X線回折実験による異方性の検証
  38. 6.6 比抵抗の測定値に基づく熱電特性異方性の評価
  39. 6.7 まとめ
  40. 参考文献
  41. 第7章 結論
  42. 付録A 熱電半導体の輸送現象
  43. A.1 はじめに
  44. A.2 固体電子の輸送方程式
  45. A.3 電流磁気効果
  46. A.4 熱電効果
  47. A.5 まとめ
  48. 参考文献
  49. 謝辞
  50. 論文・発表リスト
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500002055117
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000002619137
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000303657
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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