熱電半導体CrSi[2]単結晶およびBi[2]Te[3]焼結材料の熱電特性異方性に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
熱電半導体CrSi[2]単結晶およびBi[2]Te[3]焼結材料の熱電特性異方性に関する研究
- 著者名
-
大杉, 功
- 著者別名
-
オオスギ, イサオ
- 学位授与大学
-
慶應義塾大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第2962号
- 学位授与年月日
-
1996-09-17
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目録 (1コマ目)
- 目次/p1 (7コマ目)
- 第1章 序論/p1 (10コマ目)
- 1.1 研究目的/p1 (10コマ目)
- 1.2 論文の構成/p3 (12コマ目)
- 参考文献/p4 (13コマ目)
- 第2章 フェルミ･ディラック積分の数値計算/p6 (15コマ目)
- 2.1 はじめに/p6 (15コマ目)
- 2.2 解析的近似/p8 (17コマ目)
- 2.3 級数展開法による数値計算/p11 (20コマ目)
- 2.4 数値積分法による数値計算/p14 (23コマ目)
- 2.5 まとめ/p19 (28コマ目)
- 参考文献/p20 (29コマ目)
- 第3章 単結晶の異方性/p21 (30コマ目)
- 3.1 はじめに/p21 (30コマ目)
- 3.2 等エネルギー面の構造に起因する異方性/p22 (31コマ目)
- 3.3 散乱機構に起因する異方性/p26 (35コマ目)
- 3.4 まとめ/p28 (37コマ目)
- 参考文献/p29 (38コマ目)
- 第4章 CrSi₂単結晶の異方性/p30 (39コマ目)
- 4.1 はじめに/p30 (39コマ目)
- 4.2 実験結果/p31 (40コマ目)
- 4.3 異方的散乱機構に基づく解析/p41 (50コマ目)
- 4.4 まとめ/p49 (58コマ目)
- 参考文献/p50 (59コマ目)
- 第5章 焼結材料の異方性/p51 (60コマ目)
- 5.1 はじめに/p51 (60コマ目)
- 5.2 結晶方位分布関数/p52 (61コマ目)
- 5.3 一軸異方性を有する場合の比抵抗とホール係数におよぼす結晶配向特性の影響/p59 (68コマ目)
- 5.4 まとめ/p64 (73コマ目)
- 参考文献/p65 (74コマ目)
- 第6章 Bi₂Te₃系焼結材料の異方性/p66 (75コマ目)
- 6.1 はじめに/p66 (75コマ目)
- 6.2 実験結果/p67 (76コマ目)
- 6.3 異方的散乱因子の決定/p77 (86コマ目)
- 6.4 異方性のパラメータWの決定/p84 (93コマ目)
- 6.5 X線回折実験による異方性の検証/p89 (98コマ目)
- 6.6 比抵抗の測定値に基づく熱電特性異方性の評価/p93 (102コマ目)
- 6.7 まとめ/p97 (106コマ目)
- 参考文献/p98 (107コマ目)
- 第7章 結論/p99 (108コマ目)
- 付録A 熱電半導体の輸送現象/p100 (109コマ目)
- A.1 はじめに/p100 (109コマ目)
- A.2 固体電子の輸送方程式/p101 (110コマ目)
- A.3 電流磁気効果/p110 (119コマ目)
- A.4 熱電効果/p116 (125コマ目)
- A.5 まとめ/p122 (131コマ目)
- 参考文献/p123 (132コマ目)
- 謝辞/p124 (133コマ目)
- 論文･発表リスト/p125 (134コマ目)
