The analysis of higher-order Laue zone in arsenic-doped silicon and the determination of arsenic atom concentration As原子をドープしたSiの高次ラウエゾーンの解析とAs原子濃度の決定
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著者
書誌事項
- タイトル
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The analysis of higher-order Laue zone in arsenic-doped silicon and the determination of arsenic atom concentration
- タイトル別名
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As原子をドープしたSiの高次ラウエゾーンの解析とAs原子濃度の決定
- 著者名
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橋川, 直人
- 著者別名
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ハシカワ, ナオト
- 学位授与大学
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東京理科大学
- 取得学位
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博士 (理学)
- 学位授与番号
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甲第260号
- 学位授与年月日
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1996-03-20
注記・抄録
博士論文
目次
- Contents / (0003.jp2)
- Abstract / (0004.jp2)
- §1 Introduction / p1 (0005.jp2)
- §2 Experimental procedure / p3 (0007.jp2)
- §3 Computer simulation and fitting procedure / p4 (0008.jp2)
- §4 Results / p6 (0010.jp2)
- §5 Conclusion / p14 (0018.jp2)
- Acknowledgement / p17 (0021.jp2)
- References / p18 (0022.jp2)