ダイヤモンド薄膜の電子デバイス化に関する基礎研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
ダイヤモンド薄膜の電子デバイス化に関する基礎研究
- 著者名
-
林, 和志
- 著者別名
-
ハヤシ, カズシ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第7095号
- 学位授与年月日
-
1997-01-27
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 はじめに / p1 (0005.jp2)
- 1.2 ダイヤモンドの基礎物性と期待される応用分野 / p2 (0006.jp2)
- 1.3 ダイヤモンドの気相合成 / p5 (0007.jp2)
- 1.4 電子デバイス化をめざしたダイヤモンド研究の現状 / p10 (0010.jp2)
- 1.5 本研究の目的 / p14 (0012.jp2)
- 1.6 まとめ / p16 (0013.jp2)
- 参考文献 / p17 (0013.jp2)
- 第2章 電子デバイス用ダイヤモンド薄膜の合成法とその評価法 / p21 (0015.jp2)
- 2.1 はじめに / p21 (0015.jp2)
- 2.2 エンドランチ型CVD装置 / p21 (0015.jp2)
- 2.3 表面形態および結晶性評価法 / p24 (0017.jp2)
- 2.4 電気的特性評価法 / p27 (0018.jp2)
- 2.5 光学的特性評価法 / p35 (0022.jp2)
- 2.6 まとめ / p41 (0025.jp2)
- 参考文献 / p43 (0026.jp2)
- 第3章 ダイヤモンド表面の平坦化に関する研究 / p44 (0027.jp2)
- 3.1 はじめに / p44 (0027.jp2)
- 3.2 ダイヤモンド表面への水素プラズマ照射 / p45 (0027.jp2)
- 3.3 高圧合成ダイヤモンド基板の評価 / p46 (0028.jp2)
- 3.4 水素プラズマ照射による原子層レベルでの平坦化 / p47 (0028.jp2)
- 3.5 まとめ / p61 (0035.jp2)
- 参考文献 / p62 (0036.jp2)
- 第4章 ステップフローホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜に関する研究 / p63 (0036.jp2)
- 4.1 はじめに / p63 (0036.jp2)
- 4.2 ステップフローエピタキシャル成長 / p64 (0037.jp2)
- 4.3 実験方法と合成条件 / p67 (0038.jp2)
- 4.4 表面形態 / p71 (0040.jp2)
- 4.5 結晶性 / p75 (0042.jp2)
- 4.6 カソードルミネッセンス / p82 (0046.jp2)
- 4.7 ショットキー特性 / p86 (0048.jp2)
- 4.8 考察 / p88 (0049.jp2)
- 4.9 まとめ / p91 (0050.jp2)
- 参考文献 / p93 (0051.jp2)
- 第5章 ダイヤモンド薄膜の水素化により生じる表面伝導層の起源に関する研究 / p96 (0053.jp2)
- 5.1 はじめに / p96 (0053.jp2)
- 5.2 研究の背景と現状 / p97 (0053.jp2)
- 5.3 試料作製方法 / p100 (0055.jp2)
- 5.4 電気的特性評価 / p101 (0055.jp2)
- 5.5 光学的特性評価 / p127 (0068.jp2)
- 5.6 2次イオン質量分析 / p133 (0071.jp2)
- 5.7 考察 / p135 (0072.jp2)
- 5.8 まとめ / p142 (0076.jp2)
- 参考文献 / p143 (0076.jp2)
- 第6章 結論 / p146 (0078.jp2)
- 謝辞 / p150 (0080.jp2)
