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化合物半導体表面吸着構造の軟X線定在波解析

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著者

    • 杉山, 宗弘 スギヤマ, ムネヒロ

書誌事項

タイトル

化合物半導体表面吸着構造の軟X線定在波解析

著者名

杉山, 宗弘

著者別名

スギヤマ, ムネヒロ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第7163号

学位授与年月日

1997-03-18

注記・抄録

博士論文

14401乙第07163号

博士(工学)

大阪大学

1997-03-18

12870

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 1 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 2 軟X線定在波法 / p8 (0009.jp2)
  4. 2.1 緒言 / p8 (0009.jp2)
  5. 2.2 X線定在波法の概要 / p8 (0009.jp2)
  6. 2.3 軟X線定在波解析に用いる理論計算式 / p12 (0011.jp2)
  7. 2.4 軟X線定在波法の特徴 / p29 (0019.jp2)
  8. 2.5 結言 / p35 (0022.jp2)
  9. 3 軟X線定在波解析装置の開発 / p38 (0024.jp2)
  10. 3.1 緒言 / p38 (0024.jp2)
  11. 3.2 放射光軟X線ビームラインの概要 / p39 (0024.jp2)
  12. 3.3 開発した軟X線定在波測定装置の構成 / p40 (0025.jp2)
  13. 3.4 結言 / p46 (0028.jp2)
  14. 4 硫黄処理GaAs(001)表面の解析 / p48 (0029.jp2)
  15. 4.1 緒言 / p48 (0029.jp2)
  16. 4.2 硫黄処理GaAs(001)表面について / p49 (0029.jp2)
  17. 4.3 硫黄処理GaAs(001)表面の軟X線定在波解析 / p52 (0031.jp2)
  18. 4.4 結言 / p59 (0034.jp2)
  19. 5 硫黄処理GaAs{111}表面・界面の解析 / p62 (0036.jp2)
  20. 5.1 緒言 / p62 (0036.jp2)
  21. 5.2 硫黄処理GaAs{111}表面の軟X線定在波解析 / p63 (0036.jp2)
  22. 5.3 SrF₂/S/GaAs{111}界面の軟X線定在波解析 / p72 (0041.jp2)
  23. 5.4 結言 / p76 (0043.jp2)
  24. 6 Sb終端GaAs(001)-(2×4)表面の解析 / p79 (0044.jp2)
  25. 6.1 緒言 / p79 (0044.jp2)
  26. 6.2 Sb終端GaAs(001)-(2×4)表面の作製 / p80 (0045.jp2)
  27. 6.3 Sb終端GaAs(001)-(2×4)表面の背面反射X線定在波解析 / p81 (0045.jp2)
  28. 6.4 結言 / p88 (0049.jp2)
  29. 7 Si吸着GaAs(001)表面の解析 / p91 (0050.jp2)
  30. 7.1 緒言 / p91 (0050.jp2)
  31. 7.2 Si吸着GaAs(001)表面の作製 / p92 (0051.jp2)
  32. 7.3 Si吸着GaAs(001)表面の背面反射X線定在波解析 / p93 (0051.jp2)
  33. 7.4 結言 / p99 (0054.jp2)
  34. 8 化学状態識別X線定在波法の開発 / p102 (0056.jp2)
  35. 8.1 緒言 / p102 (0056.jp2)
  36. 8.2 光電子分光X線定在波法 / p103 (0056.jp2)
  37. 8.3 吸収端X線定在波法 / p107 (0058.jp2)
  38. 8.4 結言 / p113 (0061.jp2)
  39. 9 結論 / p116 (0063.jp2)
  40. 謝辞 / p120 (0065.jp2)
  41. 研究業績目録 / p122 (0066.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000150135
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001060989
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000314449
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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