反応性プラズマの超LSI微細加工への応用に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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反応性プラズマの超LSI微細加工への応用に関する研究
- 著者名
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西岡, 久作
- 著者別名
-
ニシオカ, キュウサク
- 学位授与大学
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大阪大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
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乙第7206号
- 学位授与年月日
-
1997-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0005.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1.1 本研究の技術的背景 / p1 (0007.jp2)
- 1.2 本研究の目的･意義 / p14 (0020.jp2)
- 1.3 本研究の構成 / p15 (0021.jp2)
- 第1章の参考文献 / p16 (0022.jp2)
- 第2章 反応性プラズマのフォトマスク･プロセスへの応用 / p17 (0023.jp2)
- 2.1 緒言 / p17 (0023.jp2)
- 2.2 フォトマスク･プロセスのドライ化 / p19 (0025.jp2)
- 2.3 クロム系薄膜のプラズマエッチング特性及び反応機構 / p19 (0025.jp2)
- 2.4 フォトマスク作製への応用 / p34 (0040.jp2)
- 2.5 結言 / p41 (0047.jp2)
- 第2章の参考文献 / p43 (0049.jp2)
- 第3章反応性プラズマの超LSIプロセスへの応用 / p44 (0050.jp2)
- 3.1 緒言 / p44 (0050.jp2)
- 3.2 多層レジストプロセスへの応用 / p53 (0059.jp2)
- 3.3 二層膜(シリサイド/ポリシリコン)エッチングへの応用 / p55 (0061.jp2)
- 3.4 結言 / p65 (0071.jp2)
- 第3章の参考文献 / p66 (0072.jp2)
- 第4章 ECRプラズマエッチングへの応用 / p67 (0073.jp2)
- 4.1 緒言 / p67 (0073.jp2)
- 4.2 ECRプラズマを用いた反応性イオンビームエッチング(RIBE) / p68 (0074.jp2)
- 4.3 マスクレス･エッチング / p77 (0083.jp2)
- 4.4 結言 / p80 (0086.jp2)
- 第4章の参考文献 / p81 (0087.jp2)
- 第5章 結論 / p82 (0088.jp2)
- 謝辞 / p84 (0090.jp2)
- 研究業績目録 / p85 (0091.jp2)