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反応性プラズマの超LSI微細加工への応用に関する研究

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著者

    • 西岡, 久作 ニシオカ, キュウサク

書誌事項

タイトル

反応性プラズマの超LSI微細加工への応用に関する研究

著者名

西岡, 久作

著者別名

ニシオカ, キュウサク

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第7206号

学位授与年月日

1997-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0005.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1.1 本研究の技術的背景 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的・意義 / p14 (0020.jp2)
  5. 1.3 本研究の構成 / p15 (0021.jp2)
  6. 第1章の参考文献 / p16 (0022.jp2)
  7. 第2章 反応性プラズマのフォトマスク・プロセスへの応用 / p17 (0023.jp2)
  8. 2.1 緒言 / p17 (0023.jp2)
  9. 2.2 フォトマスク・プロセスのドライ化 / p19 (0025.jp2)
  10. 2.3 クロム系薄膜のプラズマエッチング特性及び反応機構 / p19 (0025.jp2)
  11. 2.4 フォトマスク作製への応用 / p34 (0040.jp2)
  12. 2.5 結言 / p41 (0047.jp2)
  13. 第2章の参考文献 / p43 (0049.jp2)
  14. 第3章反応性プラズマの超LSIプロセスへの応用 / p44 (0050.jp2)
  15. 3.1 緒言 / p44 (0050.jp2)
  16. 3.2 多層レジストプロセスへの応用 / p53 (0059.jp2)
  17. 3.3 二層膜(シリサイド/ポリシリコン)エッチングへの応用 / p55 (0061.jp2)
  18. 3.4 結言 / p65 (0071.jp2)
  19. 第3章の参考文献 / p66 (0072.jp2)
  20. 第4章 ECRプラズマエッチングへの応用 / p67 (0073.jp2)
  21. 4.1 緒言 / p67 (0073.jp2)
  22. 4.2 ECRプラズマを用いた反応性イオンビームエッチング(RIBE) / p68 (0074.jp2)
  23. 4.3 マスクレス・エッチング / p77 (0083.jp2)
  24. 4.4 結言 / p80 (0086.jp2)
  25. 第4章の参考文献 / p81 (0087.jp2)
  26. 第5章 結論 / p82 (0088.jp2)
  27. 謝辞 / p84 (0090.jp2)
  28. 研究業績目録 / p85 (0091.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000150178
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001061032
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000314492
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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