大容量半導体メモリの高性能化と高機能化に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
大容量半導体メモリの高性能化と高機能化に関する研究
- 著者名
-
安岡, 晶彦
- 著者別名
-
ヤスオカ, アキヒコ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第7208号
- 学位授与年月日
-
1997-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p3 (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1-1 はじめに / p1 (0005.jp2)
- 1-2 マイクロプロセッサの発展と現状 / p1 (0005.jp2)
- 1-3 メモリの大容量化 / p2 (0006.jp2)
- 1-4 メモリの高速化 / p4 (0007.jp2)
- 1-5 メモリの低消費電力化 / p6 (0008.jp2)
- 1-6 高機能化 / p8 (0009.jp2)
- 1-7 メモリを支える要素技術の進展(SOI技術) / p8 (0009.jp2)
- 1-8 本研究の目的と構成 / p10 (0010.jp2)
- 第2章 大規模･高速化技術 / p15 (0012.jp2)
- 2-1 はじめに / p15 (0012.jp2)
- 2-2 高速化チップ設計 / p15 (0012.jp2)
- 2-3 まとめ / p22 (0016.jp2)
- 第3章 低電圧･低消費電力技術(低電圧･低消費電力SOIDRAM技術) / p24 (0017.jp2)
- 3-1 はじめに / p24 (0017.jp2)
- 3-2 SOIDRAMの特徴 / p24 (0017.jp2)
- 3-3 SOIDRAMメモリーセルにおける基板浮遊効果 / p30 (0020.jp2)
- 3-4 低電圧･高性能SOIDRAMの回路設計 / p34 (0022.jp2)
- 3-5 まとめ / p40 (0025.jp2)
- 第4章 DRAM用SOI構造･プロセス技術開発 / p43 (0026.jp2)
- 4-1 はじめに / p43 (0026.jp2)
- 4-2 LOCOS分離SOI-MOSFETにおける寄生トランジスタの解析 / p43 (0026.jp2)
- 4-3 寄生MOSFETに与えるSOI/酸化膜界面の固定電荷の影響 / p48 (0029.jp2)
- 4-4 まとめ / p55 (0032.jp2)
- 第5章 微細構造プロセスにおける共通課題 / p59 (0034.jp2)
- 5-1 スコープ / p59 (0034.jp2)
- 5-2 窒素注入効果 / p60 (0035.jp2)
- 5-3 高信頼性ゲート酸化膜 / p71 (0040.jp2)
- 5-4 微細パターンの形成 / p77 (0043.jp2)
- 第6章 結論 / p89 (0049.jp2)
- 謝辞 / p93 (0051.jp2)
- 研究業績目録 / p94 (0052.jp2)
- 略号表 / p96 (0053.jp2)
