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シリコン集積回路におけるオーム性接触界面の高信頼化の研究

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著者

    • 武山, 真弓 タケヤマ, マユミ

書誌事項

タイトル

シリコン集積回路におけるオーム性接触界面の高信頼化の研究

著者名

武山, 真弓

著者別名

タケヤマ, マユミ

学位授与大学

北海道大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第5227号

学位授与年月日

1997-09-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  2. 1.1 はじめに / p1 (0007.jp2)
  3. 1.2 LSIメタライゼーションにおける集積化に伴う進展と微細化に伴って顕在化した問題点 / p7 (0013.jp2)
  4. 1.3 本研究の目的 / p14 (0020.jp2)
  5. 参考文献 / p17 (0023.jp2)
  6. 第2章 本研究に関する従来の研究 / p20 (0026.jp2)
  7. 2.1 A1配線コンタクト系 / p20 (0026.jp2)
  8. 2.2 Cu配線コンタクト系 / p29 (0035.jp2)
  9. 参考文献 / p38 (0044.jp2)
  10. 第3章 実験方法 / p42 (0048.jp2)
  11. 3.1 試料作製 / p42 (0048.jp2)
  12. 3.2 熱処理 / p42 (0048.jp2)
  13. 3.3 試料の評価 / p44 (0050.jp2)
  14. 第4章 Al配線コンタクト系における拡散バリヤ材料 / p48 (0054.jp2)
  15. 4.1 はじめに / p48 (0054.jp2)
  16. 4.2 Al/W/Si及びAl/Ta/Siコンタクト系の界面反応 / p55 (0061.jp2)
  17. 4.3 窒化物バリヤの検討 / p59 (0065.jp2)
  18. 4.4 Al/Al₁₂W/W₂N/Siコンタクト系 / p67 (0073.jp2)
  19. 4.5 Al/Al₃Ta/TaN/Siコンタクト系 / p75 (0081.jp2)
  20. 4.6 反応の安定性について / p80 (0086.jp2)
  21. 4.7 まとめ / p85 (0091.jp2)
  22. 参考文献 / p87 (0093.jp2)
  23. 第5章 Cu配線コンタクト系における拡散バリヤ材料(1)―Cuの拡散防止に有効な結晶構造― / p89 (0095.jp2)
  24. 5.1 はじめに / p89 (0095.jp2)
  25. 5.2 Cu/W/Siコンタクト系の熱的安定性 / p92 (0098.jp2)
  26. 5.3 アモルファス合金膜の適用 / p107 (0113.jp2)
  27. 5.4 まとめ / p125 (0131.jp2)
  28. 参考文献 / p126 (0132.jp2)
  29. 第6章 Cu配線コンタクト系における拡散バリヤ材料(2)―安定な高融点遷移金属窒化膜バリヤの適用― / p129 (0135.jp2)
  30. 6.1 はじめに / p129 (0135.jp2)
  31. 6.2 TaNxバリヤの適用 / p130 (0136.jp2)
  32. 6.3 種々の構造を示すWNxバリヤの適用 / p143 (0149.jp2)
  33. 6.4 まとめ / p160 (0166.jp2)
  34. 参考文献 / p162 (0168.jp2)
  35. 第7章 結論 / p164 (0170.jp2)
  36. 7.1 はじめに / p164 (0170.jp2)
  37. 7.2 高安定なA1配線コンタクト系のあり方 / p164 (0170.jp2)
  38. 7.3 高安定なCU配線コンタクト系のあり方 / p168 (0174.jp2)
  39. 7.4 まとめ / p171 (0177.jp2)
  40. 参考文献 / p173 (0179.jp2)
  41. 謝辞 / p175 (0181.jp2)
  42. 研究論文 / p1 (0183.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000151497
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001068442
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000315811
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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