【12/14(木)17時より】CiNiiの常時SSL化(HTTPS接続)について

電子シャワー、スパッタ、真空アーク法による窒化アルミニウム薄膜の作製と配向性に関する研究

この論文をさがす

著者

    • 石原, 正統 イシハラ, マサトウ

書誌事項

タイトル

電子シャワー、スパッタ、真空アーク法による窒化アルミニウム薄膜の作製と配向性に関する研究

著者名

石原, 正統

著者別名

イシハラ, マサトウ

学位授与大学

東京理科大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第320号

学位授与年月日

1997-03-20

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 【目次】 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 緒論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景 / p2 (0006.jp2)
  4. 1.2 現在まで行われた研究 / p4 (0007.jp2)
  5. 1.3 本研究の目的 / p10 (0010.jp2)
  6. 1.4 本研究の概要 / p10 (0010.jp2)
  7. 1.5 参考文献 / p11 (0010.jp2)
  8. 第2章 電子シャワー法によるAIN薄膜の作製と評価 / p25 (0017.jp2)
  9. 2.1 緒言 / p26 (0018.jp2)
  10. 2.2 実験方法 / p27 (0018.jp2)
  11. 2.3 結果および考察 / p28 (0019.jp2)
  12. 2.4 小括 / p33 (0021.jp2)
  13. 2.5 参考文献 / p33 (0021.jp2)
  14. 第3章 電子シャワー法における基板バイアスの効果 / p45 (0027.jp2)
  15. 3.1 緒言 / p46 (0028.jp2)
  16. 3.2 実験方法 / p47 (0028.jp2)
  17. 3.3 結果および考察 / p47 (0028.jp2)
  18. 3.4 小括 / p51 (0030.jp2)
  19. 3.5 参考文献 / p52 (0031.jp2)
  20. 第4章 スパッタ法および真空アーク法によるAIN薄膜の作製 / p67 (0038.jp2)
  21. 4.1 緒言 / p68 (0039.jp2)
  22. 4.2 実験方法 / p69 (0039.jp2)
  23. 4.3 結果と考察 / p69 (0039.jp2)
  24. 4.4 小括 / p72 (0041.jp2)
  25. 4.5 参考文献 / p73 (0041.jp2)
  26. 第5章 AIN薄膜の成膜条件と配向性の関係 / p85 (0047.jp2)
  27. 5.1 緒言 / p86 (0048.jp2)
  28. 5.2 実験方法 / p86 (0048.jp2)
  29. 5.3 結果および考察 / p87 (0048.jp2)
  30. 5.4 小括 / p90 (0050.jp2)
  31. 5.5 参考文献 / p90 (0050.jp2)
  32. 第6章 スパッタ法によるAIN薄膜の配向性に対するPBC理論の応用 / p99 (0054.jp2)
  33. 6.1 緒言 / p100 (0055.jp2)
  34. 6.2 面の成長速度 / p101 (0055.jp2)
  35. 6.3 AIN薄膜への応用 / p107 (0058.jp2)
  36. 6.4 実験結果との比較 / p109 (0059.jp2)
  37. 6.5 小括 / p110 (0060.jp2)
  38. 6.6 参考文献 / p111 (0060.jp2)
  39. 第7章 総括 / p121 (0065.jp2)
  40. 謝辞 / p126 (0068.jp2)
  41. 研究業績 / p127 (0068.jp2)
0アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000151731
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001068674
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000316045
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ