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イオンビーム照射による金属シリサイド形成の基礎過程と微細構造形成への応用に関する研究

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著者

    • 馬場, 昭好 ババ, アキヨシ

書誌事項

タイトル

イオンビーム照射による金属シリサイド形成の基礎過程と微細構造形成への応用に関する研究

著者名

馬場, 昭好

著者別名

ババ, アキヨシ

学位授与大学

九州大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第4170号

学位授与年月日

1997-09-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 研究の目的 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 研究の背景 / p2 (0006.jp2)
  5. 1.3 本論文の要旨と構成 / p9 (0013.jp2)
  6. 第2章 シリコン結晶中の照射誘起欠陥の理論的検討 / p12 (0016.jp2)
  7. 2.1 緒言 / p12 (0016.jp2)
  8. 2.2 照射効果の基本方程式とその解法 / p16 (0020.jp2)
  9. 2.3 計算のためのパラメータ / p19 (0023.jp2)
  10. 2.4 低エネルギーイオン照射によるシリコンの変位効率の計算 / p21 (0025.jp2)
  11. 2.5 結言 / p35 (0039.jp2)
  12. 第3章 低温領域におけるイオンビーム照射によるCO/Si固相界面の原子混合反応 / p36 (0040.jp2)
  13. 3.1 緒言 / p36 (0040.jp2)
  14. 3.2 実験方法 / p38 (0042.jp2)
  15. 3.3 低温度領域におけるイオン照射によるコバルトシリサイドの成長機構 / p42 (0046.jp2)
  16. 3.4 結言 / p61 (0065.jp2)
  17. 第4章 シリコン結晶中のFIB照射誘起欠陥の動的振舞い / p63 (0067.jp2)
  18. 4.1 緒言 / p63 (0067.jp2)
  19. 4.2 実験方法 / p64 (0068.jp2)
  20. 4.3 FIB照射による横方向非晶質化 / p67 (0071.jp2)
  21. 4.4 結言 / p77 (0081.jp2)
  22. 第5章 FIBを用いたCoSi細線構造形成とサファイア基板上へのCoSi細線形成のためのプロセス構成の提案 / p78 (0082.jp2)
  23. 5.1 緒言 / p78 (0082.jp2)
  24. 5.2 単結晶シリコン上へのCoSi細線構造形成 / p79 (0083.jp2)
  25. 5.3 サファイア基板上へのコバルトシリサイド細線形成のためのプロセス構成の提案 / p86 (0090.jp2)
  26. 5.4 結言 / p92 (0096.jp2)
  27. 第6章 結論 / p93 (0097.jp2)
  28. 謝辞 / p94 (0098.jp2)
  29. 参考文献 / p98 (0102.jp2)
  30. 付録A 固体に入射したイオンの軌跡の計算 / p103 (0107.jp2)
  31. A.1 原子核との相互作用によるエネルギー損失と入射イオンの偏向 / p105 (0109.jp2)
  32. A.2 衝突パラメー夕の選択 / p106 (0110.jp2)
  33. A.3 電子との相互作用によるエネルギー損失 / p107 (0111.jp2)
  34. A.4 空孔の形成 / p111 (0115.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000151793
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001068731
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000316107
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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