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化合物半導体の光弾性評価に関する研究

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著者

    • 福澤, 理行 フクザワ, マサユキ

書誌事項

タイトル

化合物半導体の光弾性評価に関する研究

著者名

福澤, 理行

著者別名

フクザワ, マサユキ

学位授与大学

京都工芸繊維大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第149号

学位授与年月日

1997-03-25

注記・抄録

博士論文

取得大学:京都工芸繊維大学; 所属:大学院工芸科学研究科博士後期課程 情報・生産科学専攻; 取得学位:博士(工学); 学位授与年月日:1997-03-25 ; 証書番号:博甲第149号

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p1 (0004.jp2)
  4. 1.2 本論文の内容と構成 / p4 (0006.jp2)
  5. 第2章 高感度・高空間分解能赤外光弾性装置の開発 / p7 (0007.jp2)
  6. 2.1 緒言 / p7 (0007.jp2)
  7. 2.2 化合物半導体ウェハの高感度光弾性評価 / p8 (0008.jp2)
  8. 2.3 高感度・高空間分解能赤外光弾性装置の試作 / p15 (0011.jp2)
  9. 2.4 結言 / p27 (0017.jp2)
  10. 第3章 III-V族化合物半導体ウェハの残留歪み分布の光弾性評価 / p30 (0019.jp2)
  11. 3.1 緒言 / p30 (0019.jp2)
  12. 3.2 残留歪みのウェハ面内分布の定量評価 / p31 (0019.jp2)
  13. 3.3 残留歪みの高空間分解能光弾性評価 / p37 (0022.jp2)
  14. 3.4 LEC法成長単結晶中の残留歪みの発生機構 / p46 (0027.jp2)
  15. 3.5 結言 / p59 (0033.jp2)
  16. 第4章 ウェハ加熱誘起スリップラインの光弾性評価 / p62 (0035.jp2)
  17. 4.1 緒言 / p62 (0035.jp2)
  18. 4.2 ホットプレート加熱誘起スリップライン / p63 (0035.jp2)
  19. 4.3 リングホルダ支持放射加熱誘起スリップライン / p66 (0037.jp2)
  20. 4.4 ウェハ加熱時のスリップライン発生モデル / p69 (0038.jp2)
  21. 4.5 結言 / p83 (0045.jp2)
  22. 第5章 結論 / p85 (0046.jp2)
  23. 謝辞 / p87 (0047.jp2)
  24. 参考文献 / p88 (0048.jp2)
  25. 研究業績 / p97 (0052.jp2)
  26. 付録:軸対称加熱の熱弾性モデルとその解析解 / p101 (0054.jp2)
4アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000151948
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001068875
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000316262
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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