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高速光通信用シリコン系光電子集積回路のデバイス技術に関する研究

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著者

    • 田代, 勉 タシロ, ツトム

書誌事項

タイトル

高速光通信用シリコン系光電子集積回路のデバイス技術に関する研究

著者名

田代, 勉

著者別名

タシロ, ツトム

学位授与大学

静岡大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第79号

学位授与年月日

1997-09-26

注記・抄録

博士論文

doctoral

電子科学研究科

乙第79号

目次

  1. 目次 / p4 (0005.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1.1 研究の背景と意義 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.2 集積回路(IC)高速化のためのトランジスタ設計 / p5 (0009.jp2)
  5. 1.3 バイポーラトランジスタの高性能化 / p9 (0011.jp2)
  6. 1.4 光電子集積回路(OEIC²⁾)と受光素子技術 / p15 (0014.jp2)
  7. 1.5 本論文の目的と構成 / p21 (0017.jp2)
  8. 第2章 高速シリコン自己整合トランジスタ技術:A-BSA³⁾トランジスタ技術 / p23 (0018.jp2)
  9. 2.1 BSAプロセス技術の特徴 / p23 (0018.jp2)
  10. 2.2 A-BSAトランジスタの設計とプロセス技術 / p26 (0020.jp2)
  11. 2.2 A-BSAトランジスタの電気特性と回路特性 / p40 (0027.jp2)
  12. 2.3 まとめ / p44 (0029.jp2)
  13. 第3章 超高速シリコン・ゲルマニウム自己整合トランジスタ技術:SSSB⁵⁾とA-SSSB⁶⁾トランジスタ技術 / p47 (0030.jp2)
  14. 3.1 SiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT⁷⁾)技術 / p47 (0030.jp2)
  15. 3.2 SiGe選択エピタキシャル成長技術 / p50 (0032.jp2)
  16. 3.3 SSSB卜ランジスタの設計とプロセス技術 / p58 (0036.jp2)
  17. 3.4 SSSB卜ランジスタの電気特性と基本回路特性 / p69 (0041.jp2)
  18. 3.5 A-SSSBトランジスタの設計とプロセス技術 / p73 (0043.jp2)
  19. 3.6 A-SSSBトランジスタの電気特性 / p83 (0048.jp2)
  20. 3.7 まとめ / p88 (0051.jp2)
  21. 第4章 シリコン・ゲルマニウム超格子導波路型受光素子技術 / p91 (0052.jp2)
  22. 4.1 導波路型(Waveguide type)SiGe受光素子の設計とプロセス技術 / p91 (0052.jp2)
  23. 4.2 導波路型SiGe受光素子の諸特性 / p100 (0057.jp2)
  24. 4.3 まとめ / p107 (0060.jp2)
  25. 第5章 シリコン・ゲルマニウム積層厚膜表面入射型受光素子技術 / p109 (0061.jp2)
  26. 5.1 表面入射型SiGe受光素子の設計とプロセス技術 / p109 (0061.jp2)
  27. 5.2 表面入射型SiGe受光素子の諸特性 / p115 (0064.jp2)
  28. 5.3 まとめ / p121 (0067.jp2)
  29. 第6章 結論 / p123 (0068.jp2)
  30. 6.1 本論文の成果のまとめ / p123 (0068.jp2)
  31. 6.2 残る課題と展望 / p126 (0070.jp2)
  32. 参考文献 / p129 (0071.jp2)
  33. 謝辞 / p139 (0076.jp2)
  34. 本論文に関するの発表論文一覧 / p140 (0077.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000152508
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001086693
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000316822
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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