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分子吸着の自己抑制機構発現による高精度3C-SiC薄膜のエピタキシャル成長に関する研究

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著者

    • 長澤, 弘幸 ナガサワ, ヒロユキ

書誌事項

タイトル

分子吸着の自己抑制機構発現による高精度3C-SiC薄膜のエピタキシャル成長に関する研究

著者名

長澤, 弘幸

著者別名

ナガサワ, ヒロユキ

学位授与大学

東海大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第312号

学位授与年月日

1997-09-22

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p5 (0007.jp2)
  3. 1.1 エレクトロニクス技術の将来 / p5 (0007.jp2)
  4. 1.2 素子材料としてのSiCの諸特性 / p8 (0010.jp2)
  5. 1.3 SiC成長に関する歴史的背景 / p12 (0014.jp2)
  6. 1.4 本研究の目的と意義 / p15 (0017.jp2)
  7. 1.5 本論文の構成 / p17 (0019.jp2)
  8. 参考文献 / p19 (0021.jp2)
  9. 第2章 C₂H₂によるSi基板表面の炭化 / p21 (0023.jp2)
  10. 2.1 はじめに / p21 (0023.jp2)
  11. 2.2 Si表面と炭化水素との反応過程に関する知見 / p23 (0025.jp2)
  12. 2.3 実験方法 / p27 (0029.jp2)
  13. 2.4 結果と考察 / p30 (0032.jp2)
  14. 2.5 まとめ / p56 (0058.jp2)
  15. 参考文献 / p58 (0060.jp2)
  16. 第3章 原料ガスの交互供給によるSiC成長 / p59 (0061.jp2)
  17. 3.1 はじめに / p59 (0061.jp2)
  18. 3.2 表面反応によるSiC成長に関する研究例 / p63 (0065.jp2)
  19. 3.3 3C-SiC気相成長法に関する基本的指針 / p65 (0067.jp2)
  20. 3.4 原料ガスの熱分解特性 / p70 (0072.jp2)
  21. 3.5 原料ガスの交互供給供給時の反応解析 / p83 (0085.jp2)
  22. 3.6 原料ガスの交互供給によるSiC成長特性 / p96 (0098.jp2)
  23. 3.7 SiC成長機構 / p115 (0117.jp2)
  24. 3.8 基板面内におけるSiC膜厚均一性 / p118 (0120.jp2)
  25. 3.9 まとめ / p121 (0123.jp2)
  26. 第4章 SiCの結晶評価 / p125 (0127.jp2)
  27. 4.1 はじめに / p125 (0127.jp2)
  28. 4.2 試料作製方法 / p126 (0128.jp2)
  29. 4.3 SiCの結晶性 / p127 (0129.jp2)
  30. 4.4 SiCの電気的特性 / p146 (0148.jp2)
  31. 考察 / p151 (0153.jp2)
  32. 4.5 まとめ / p156 (0158.jp2)
  33. 第5章 結論 / p159 (0161.jp2)
  34. 謝辞 / p162 (0164.jp2)
  35. 付録A SiCに関する基礎的なデータ / p163 (0165.jp2)
  36. SiCの諸特性 / p163 (0165.jp2)
  37. 3C-SiCの基礎的な物性値 / p166 (0168.jp2)
  38. 3C-SiC表面の超構造 / p169 (0171.jp2)
  39. 付録B 3C-SiCの測定・評価手法 / p173 (0175.jp2)
  40. 反射高速電子線回折(RHEED) / p173 (0175.jp2)
  41. 電子スピン共鳴(ESR)法 / p178 (0180.jp2)
  42. 電子顕微鏡 / p180 (0182.jp2)
  43. X線回折法 / p184 (0186.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000152562
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001086743
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000316876
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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