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Al[2]O[3]/Si構造形成における成長材料の励起及び界面制御に関する研究

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著者

    • 葉山, 清輝 ハヤマ, キヨテル

書誌事項

タイトル

Al[2]O[3]/Si構造形成における成長材料の励起及び界面制御に関する研究

著者名

葉山, 清輝

著者別名

ハヤマ, キヨテル

学位授与大学

豊橋技術科学大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第102号

学位授与年月日

1997-12-17

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文要旨 / (0003.jp2)
  2. 目次 / (0005.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  4. 1-1 SOI構造の特徴と形成技術 / p1 (0007.jp2)
  5. 1-2 エピタキシャルAl₂O₃薄膜を用いたSOI構造の形成 / p6 (0010.jp2)
  6. 1-3 絶緑膜・半導体ヘテロ構造のその他の応用 / p12 (0013.jp2)
  7. 1-4 本研究の目的と概要 / p14 (0014.jp2)
  8. 参考文献 / p16 (0015.jp2)
  9. 第2章 有機金属分子線エピタキシー及び評価技術 / p18 (0016.jp2)
  10. 2-1 有機金属分子線エピタキシー / p18 (0016.jp2)
  11. 2-2 成長薄膜の評価技術 / p21 (0017.jp2)
  12. 参考文献 / p29 (0021.jp2)
  13. 第3章 酸素ラジカル分子線を用いたSi表面の酸化過程 / p30 (0022.jp2)
  14. 3-1 緒言 / p30 (0022.jp2)
  15. 3-2 Si表面の酸化に関するこれまでの研修 / p31 (0022.jp2)
  16. 3-3 酸素ラジカルとSi表面の反応実験 / p35 (0024.jp2)
  17. 3-4 緒言 / p47 (0030.jp2)
  18. 参考文献 / p49 (0031.jp2)
  19. 第4章 酸素ラジカルとTMAによるAl₂O₃/Si構造の成長 / p50 (0032.jp2)
  20. 4-1 緒言 / p50 (0032.jp2)
  21. 4-2 酸素ラジカルを用いた成長実験 / p51 (0032.jp2)
  22. 4-3 酸素ラジカルを用いた成長結果及び考察 / p53 (0033.jp2)
  23. 4-4 酸素ラジカルを用いた場合の成長モデル / p60 (0037.jp2)
  24. 4-5 光励起による成長と酸素ラジカルを用いた成長との比較 / p62 (0038.jp2)
  25. 4-6 結言 / p67 (0040.jp2)
  26. 参考文献 / p68 (0041.jp2)
  27. 第5章 成長初期における界面制御の効果 / p69 (0041.jp2)
  28. 5-1 緒言 / p69 (0041.jp2)
  29. 5-2 通常のMOMBE法における成長手順と膜質の関係 / p69 (0041.jp2)
  30. 5-3 酸素励起MOMBE法における界面制御の効果 / p70 (0042.jp2)
  31. 5-4 Al₂O₃膜及びSi基板表面における酸素ラジカルの効果 / p79 (0046.jp2)
  32. 5-5 結言 / p86 (0050.jp2)
  33. 参考文献 / p87 (0050.jp2)
  34. 第6章 ジメチルエチルアミンアランによるAl/Siの成長 / p88 (0051.jp2)
  35. 6-1 緒言 / p88 (0051.jp2)
  36. 6-2 ジメチルエチルアミンアラン / p89 (0051.jp2)
  37. 6-3 DMEAAによるAl/Siの成長方法 / p92 (0053.jp2)
  38. 6-4 Al膜の成長結果と考察 / p92 (0053.jp2)
  39. 6-5 結言 / p103 (0058.jp2)
  40. 参考文献 / p105 (0059.jp2)
  41. 第7章 ジメチルエチルアミンアランによるAl₂O₃/Siの成長 / p106 (0060.jp2)
  42. 7-1 緒言 / p106 (0060.jp2)
  43. 7-2 成長方法及び条件 / p106 (0060.jp2)
  44. 7-3 DMEAAを用いて成長したAl₂O₃膜の評価 / p107 (0060.jp2)
  45. 7-4 成長温度とAl源、酸化源との関係 / p116 (0065.jp2)
  46. 7-5 結言 / p117 (0065.jp2)
  47. 参考文献 / p119 (0066.jp2)
  48. 第8章 反応性スパッタリング法によるAl₂O₃/Siの成長 / p120 (0067.jp2)
  49. 8-1 諸言 / p120 (0067.jp2)
  50. 8-2 成長装置及び成長方法 / p120 (0067.jp2)
  51. 8-3 反応性スパッタリングにより成長したAl₂O₃膜の評価 / p122 (0068.jp2)
  52. 8-4 反応性スパッタリングによるAl₂O₃膜の成長モデル / p126 (0070.jp2)
  53. 8-5 結言 / p127 (0070.jp2)
  54. 参考文献 / p128 (0071.jp2)
  55. 第9章 総括 / p129 (0071.jp2)
  56. 謝辞 / p133 (0073.jp2)
  57. 研究業績一覧 / p134 (0074.jp2)
5アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000152987
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001087064
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000317301
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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