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シリコン基板表面処理によるCVD酸化膜界面および有機結晶性薄膜の構造制御

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著者

    • 中村, 雅一 ナカムラ, マサカズ

書誌事項

タイトル

シリコン基板表面処理によるCVD酸化膜界面および有機結晶性薄膜の構造制御

著者名

中村, 雅一

著者別名

ナカムラ, マサカズ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第7307号

学位授与年月日

1997-09-12

注記・抄録

博士論文

14401乙第07307号

博士(工学)

大阪大学

1997-09-12

13394

目次

  1. 目次 / p3 (0004.jp2)
  2. 第1章.序章 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p3 (0007.jp2)
  5. 参考文献 / p7 (0009.jp2)
  6. 第2章.シリコン表面の原子スケール構造制御 / p9 (0010.jp2)
  7. 2.1 はじめに / p9 (0010.jp2)
  8. 2.2 シリコン表面の水素終端処理 / p11 (0011.jp2)
  9. 2.3 シリコン表面のフッ素終端処理 / p18 (0015.jp2)
  10. 2.4 シリコン表面の平坦化処理 / p29 (0020.jp2)
  11. 2.5 まとめ / p33 (0022.jp2)
  12. 参考文献 / p34 (0023.jp2)
  13. 第3章.基板フッ素処理による光CVD-SiO₂/Si界面準位密度の低減 / p37 (0024.jp2)
  14. 3.1 はじめに / p37 (0024.jp2)
  15. 3.2 SiO₂/Si界面における界面準位 / p38 (0025.jp2)
  16. 3.3 光CVDによるSiO₂膜成長とCVDチャンバーでのフッ素ガス処理 / p40 (0026.jp2)
  17. 3.4 界面準位密度の低減効果のDLTS法による評価 / p44 (0028.jp2)
  18. 3.5 SiO₂/Si界面構造の変化の赤外吸収、XPSおよびIR-ATR法による評価 / p46 (0029.jp2)
  19. 3.6 界面準位密度の低減機構の考察 / p50 (0031.jp2)
  20. 3.7 まとめ / p52 (0032.jp2)
  21. 参考文献 / p52 (0032.jp2)
  22. 第4章.2次イオン質量分析法(SIMS)によるSiO₂/Si界面不純物の定量分析 / p55 (0033.jp2)
  23. 4.1 はじめに / p55 (0033.jp2)
  24. 4.2 SIMSによる固体中不純物元素の定量法 / p56 (0034.jp2)
  25. 4.3 酸素リーク法によるスパッタ収率および2次イオン収率の変化 / p59 (0035.jp2)
  26. 4.4 最適な測定条件および手順と適用限界の検討 / p64 (0038.jp2)
  27. 4.5 実際の試料における分析 / p65 (0038.jp2)
  28. 4.6 まとめ / p67 (0039.jp2)
  29. 参考文献 / p68 (0040.jp2)
  30. 第5章.水素終端基板の表面粗さによる銅フタロシアニン分子配列の制御 / p69 (0040.jp2)
  31. 5.1 はじめに / p69 (0040.jp2)
  32. 5.2 走査型プローブ顕微鏡(SPM)原理 / p71 (0041.jp2)
  33. 5.3 水素終端(111)基板上での分子配列の評価 / p76 (0044.jp2)
  34. 5.4 水素終端(001)基板上での分子配列の評価 / p87 (0049.jp2)
  35. 5.5 水素終端(111)基板上での成長初期過程のSTMによる評価 / p104 (0058.jp2)
  36. 5.6 まとめ / p108 (0060.jp2)
  37. 参考文献 / p109 (0060.jp2)
  38. 第6章.シリコン上での銅フタロシアニン薄膜の面内配向制御 / p113 (0062.jp2)
  39. 6.1 はじめに / p113 (0062.jp2)
  40. 6.2 基板への溝形成によるサブミクロンスケールでの制御 / p114 (0063.jp2)
  41. 6.3 微傾斜(001)基板のステップ列によるナノメータースケールでの制御 / p119 (0065.jp2)
  42. 6.4 まとめ / p124 (0068.jp2)
  43. 参考文献 / p124 (0068.jp2)
  44. 第7章.シリコン上でのナノメータースケールデバイスの検討 / p127 (0069.jp2)
  45. 7.1 はじめに / p127 (0069.jp2)
  46. 7.2 分子エレクトロニクスとその問題点 / p127 (0069.jp2)
  47. 7.3 分子デバイス構築に向けて / p132 (0072.jp2)
  48. 7.4 まとめ / p135 (0073.jp2)
  49. 参考文献 / p135 (0073.jp2)
  50. 第8章.まとめ / p137 (0074.jp2)
  51. 謝辞 / p141 (0076.jp2)
  52. 研究業績目録 / p143 (0077.jp2)
9アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153455
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001087506
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000317769
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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