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窒化アルミニウムセラミックスパッケージの基板と金属薄膜との界面現象に関する研究 窒化 アルミニウム セラミックス パッケージ 基板 金属 薄膜 界面 現象

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著者

    • 安本, 恭章 ヤスモト, タカアキ

書誌事項

タイトル

窒化アルミニウムセラミックスパッケージの基板と金属薄膜との界面現象に関する研究

タイトル別名

窒化 アルミニウム セラミックス パッケージ 基板 金属 薄膜 界面 現象

著者名

安本, 恭章

著者別名

ヤスモト, タカアキ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第3368号

学位授与年月日

1996-12-31

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 目次 / (0005.jp2)
  3. 第1章:緒言 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.1:研究の背景と目的 / p1 (0007.jp2)
  5. 1.2:既往の研究 / p2 (0007.jp2)
  6. 1.3:まとめ / p9 (0011.jp2)
  7. 参考文献 / p9 (0011.jp2)
  8. 図表 / p12 (0012.jp2)
  9. 第2章:AℓN基板と金属薄膜との界面における熱処理反応 / p29 (0021.jp2)
  10. 2.1:はじめに / p29 (0021.jp2)
  11. 2.2:実験方法 / p29 (0021.jp2)
  12. 2.3:結果と考察 / p30 (0021.jp2)
  13. 2.4:まとめ / p36 (0024.jp2)
  14. 参考文献 / p36 (0024.jp2)
  15. 図表 / p37 (0025.jp2)
  16. 第3章:AℓN基板と金属薄膜との界面層の形成とその構造 / p57 (0035.jp2)
  17. 3.1:はじめに / p57 (0035.jp2)
  18. 3.2:実験方法 / p57 (0035.jp2)
  19. 3.3:AℓN基板とTiとの界面構造 / p57 (0035.jp2)
  20. 3.4:TiAℓ₃層形成のメカニズム / p59 (0036.jp2)
  21. 3.5:まとめ / p60 (0036.jp2)
  22. 参考文献 / p60 (0036.jp2)
  23. 図表 / p61 (0037.jp2)
  24. 第4章:アニール前後のAℓN基板と金属薄膜との界面の光電子分光による化学状態の観察 / p74 (0043.jp2)
  25. 4.1:はじめに / p74 (0043.jp2)
  26. 4.2:実験方法 / p74 (0043.jp2)
  27. 4.3:結果と考察 / p75 (0044.jp2)
  28. 4.4:まとめ / p80 (0046.jp2)
  29. 参考文献 / p80 (0046.jp2)
  30. 図表 / p81 (0047.jp2)
  31. 第5章:AℓN基板とTi薄膜との界面におけるTi₂ AℓNエピタキシャル層の形成 / p98 (0055.jp2)
  32. 5.1:はじめに / p98 (0055.jp2)
  33. 5.2:実験方法 / p98 (0055.jp2)
  34. 5.3:結果と考察 / p98 (0055.jp2)
  35. 5.4:まとめ / p101 (0057.jp2)
  36. 参考文献 / p102 (0057.jp2)
  37. 図表 / p103 (0058.jp2)
  38. 第6章:エッチングによるTi薄膜除去後のAℓN基板表面の電気抵抗変化 / p120 (0066.jp2)
  39. 6.1:はじめに / p120 (0066.jp2)
  40. 6.2:実験方法 / p120 (0066.jp2)
  41. 6.3:結果と考察 / p121 (0067.jp2)
  42. 6.4:まとめ / p125 (0069.jp2)
  43. 参考文献 / p125 (0069.jp2)
  44. 図表 / p126 (0069.jp2)
  45. 第7章:AℓN基板表面の耐エッチング性 / p145 (0079.jp2)
  46. 7.1:はじめに / p145 (0079.jp2)
  47. 7.2:実験方法 / p145 (0079.jp2)
  48. 7.3:結果と考察 / p146 (0079.jp2)
  49. 7.4:まとめ / p150 (0081.jp2)
  50. 参考文献 / p150 (0081.jp2)
  51. 図表 / p152 (0082.jp2)
  52. 第8章:総括と今後の課題 / p180 (0096.jp2)
  53. 8.1:総括 / p180 (0096.jp2)
  54. 8.2:今後の課題 / p181 (0097.jp2)
  55. English abstract / p185 (0099.jp2)
  56. 本論文に関連した発表論文一覧 / p192 (0102.jp2)
  57. 謝辞 / p194 (0103.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153570
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001087600
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000317884
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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