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構造空孔を含む化合物半導体の結晶構造と相安定化機構

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著者

    • 花田, 剛 ハナダ, タケシ

書誌事項

タイトル

構造空孔を含む化合物半導体の結晶構造と相安定化機構

著者名

花田, 剛

著者別名

ハナダ, タケシ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第3410号

学位授与年月日

1997-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 目次 / p2 (0004.jp2)
  3. 1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.1 研究の背景 / p2 (0008.jp2)
  5. 1.2 これまでの構造空孔を含む化合物半導体に関する研究 / p8 (0014.jp2)
  6. 1.3 本研究の目的 / p9 (0015.jp2)
  7. 参考文献 / p12 (0018.jp2)
  8. 2章 粉末法による結晶構造解析 / p13 (0019.jp2)
  9. 2.1.1 単結晶を用いた結晶構造解析 / p14 (0020.jp2)
  10. 2.1.2 粉末結晶を用いた結晶構造解析 / p14 (0020.jp2)
  11. 2.2 実験方法 / p15 (0021.jp2)
  12. 参考文献 / p19 (0025.jp2)
  13. 3章 ZnGa₂Se₄の結晶構造解析 / p21 (0026.jp2)
  14. 3.1 緒言 / p22 (0027.jp2)
  15. 3.2 時効処理時間による格子定数変化の粉末X線回折法による評価 / p26 (0031.jp2)
  16. 3.3 電子回折法及び収束電子回折法による空間群の決定 / p29 (0034.jp2)
  17. 3.4 粉末X線回折法及びRietveld解析による結晶構造解析 / p32 (0037.jp2)
  18. 3.5 透過吸収法による光学バンドギャップの測定 / p34 (0039.jp2)
  19. 3.6 結言 / p35 (0040.jp2)
  20. 参考文献 / p36 (0041.jp2)
  21. 4章 Ga₂Se₃低温相の結晶構造 / p38 (0043.jp2)
  22. 4.1 緒言 / p39 (0044.jp2)
  23. 4.2 Ga₂Se₃低温相の出現温度範囲 / p40 (0045.jp2)
  24. 4.3 電子回折法及び粉末X線Rietveld法による結晶構造解析 / p41 (0046.jp2)
  25. 4.4 Ga₂Se₃低温相の原子変位の特徴 / p50 (0055.jp2)
  26. 4.5 結言 / p52 (0057.jp2)
  27. 参考文献 / p53 (0058.jp2)
  28. 5章 Ga₂Te₃の結晶構造 / p54 (0059.jp2)
  29. 5.1 緒言 / p55 (0060.jp2)
  30. 5.2 電子回折法及び高分解能電子顕微鏡法によるGa₂Te₃の結晶構造の決定 / p55 (0060.jp2)
  31. 5.3 結言 / p62 (0067.jp2)
  32. 参考文献 / p62 (0067.jp2)
  33. 6章 Ga₂Se₃高温相の結晶構造と相安定性 / p63 (0069.jp2)
  34. 6.1 緒言 / p64 (0070.jp2)
  35. 6.2 X線回折法及び電子回折法によるGa₂Se₃高温相の観察 / p64 (0070.jp2)
  36. 6.3 高分解能電子顕微鏡法によるGa₂Se₃高温相(γ相)の観察 / p66 (0072.jp2)
  37. 6.4 Ga₂Se₃の相変態過程と配位数 / p69 (0075.jp2)
  38. 6.5 Ga₂Se₃の相変態と光学バンドギャップ / p72 (0078.jp2)
  39. 6.6 電子回折法及び高分解能電子顕微鏡法によるGa₂Se₃-ZnGa₂Se₄固溶体の観察 / p73 (0079.jp2)
  40. 6.7 結言 / p75 (0081.jp2)
  41. 参考文献 / p75 (0081.jp2)
  42. 7章 CuIn₃Se₅の結晶構造と相安定化機構 / p76 (0082.jp2)
  43. 7.1 緒言 / p77 (0083.jp2)
  44. 7.2 CuIn₃Se₅相の出現温度範囲 / p77 (0083.jp2)
  45. 7.3 電子回折法及び収束電子回折法による空間群の決定 / p78 (0084.jp2)
  46. 7.4 粉末X線回折法及びRietveld解析による結晶構造解析 / p86 (0092.jp2)
  47. 7.5 結言 / p97 (0102.jp2)
  48. 参考文献 / p98 (0103.jp2)
  49. 8章 構造空孔を含む化合物半導体の相安定化機構 / p99 (0104.jp2)
  50. 8.1 四面体結合におけるボンド / p100 (0105.jp2)
  51. 8.2 構造空孔を含む化合物半導体の対称性と相安定化機構 / p101 (0106.jp2)
  52. 8.3 構造空孔を含む六方晶系の化合物半導体 / p105 (0110.jp2)
  53. 8.4 四面体配位の半導体の相安定化機構 / p106 (0111.jp2)
  54. 参考文献 / p110 (0115.jp2)
  55. 9章 総括 / p111 (0116.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153612
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001092632
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000317926
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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