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Study of carbon doped n-type InP and its application to heterojunction bipolar transistors (HBTs) カーボンドープn形Inpとヘテロ接合バイポーラトランジスターへの応用に関する研究

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著者

    • 呉, 済煥 オー, ジェホアン

書誌事項

タイトル

Study of carbon doped n-type InP and its application to heterojunction bipolar transistors (HBTs)

タイトル別名

カーボンドープn形Inpとヘテロ接合バイポーラトランジスターへの応用に関する研究

著者名

呉, 済煥

著者別名

オー, ジェホアン

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第3452号

学位授与年月日

1997-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. TABLE OF CONTENTS / (0004.jp2)
  3. Chapter 1 Overview and Objective of This Study / p1 (0005.jp2)
  4. Chapter 2 Key Features and Related Issues for InP-based Heterojunction Bipolar Transistors(HBTs) / p6 (0008.jp2)
  5. 2-1.Introduction / p6 (0008.jp2)
  6. 2-2.Basic Device Concepts and Available Material Systems / p8 (0009.jp2)
  7. 2-3.Device Characteristics and Related Issues / p14 (0012.jp2)
  8. 2-4.Issues for Improvement of Device Reliability / p22 (0016.jp2)
  9. 2-5.Summary and Prospects / p28 (0019.jp2)
  10. Chapter 3 Metalorganic Molecular Beam Epitaxy of Heavily Carbon Doped InP Using Tertiarybutylphosphine (TBP) / p30 (0020.jp2)
  11. 3-1.Introduction / p30 (0020.jp2)
  12. 3-2.Experimental Procedure / p33 (0021.jp2)
  13. 3-3.Growth and Characterization of Heavily Carbon Doped InP / p39 (0024.jp2)
  14. 3-4.Carbon Doping Characteristics for MOMBE of Heavily Carbon Doped InP Using TBP / p56 (0033.jp2)
  15. 3-5.Summary / p71 (0040.jp2)
  16. Chapter 4 Characterization of Carbon Doped n-type InP by Raman Spectroscopy / p73 (0041.jp2)
  17. 4-1.Introduction / p73 (0041.jp2)
  18. 4-2.Experimental Procedure / p75 (0042.jp2)
  19. 4-3.Characterization of Heavily Carbon Doped InP by Local Vibration Mode / p76 (0043.jp2)
  20. 4-4.Characterization of Heavily Carbon Doped InP by Plasmon-LO Phonon Coupled Mode / p90 (0050.jp2)
  21. 4-5.Summary / p96 (0053.jp2)
  22. Chapter 5 Metalorganic Molecular Beam Epitaxy of Heavily Carbon Doped InGaAs Using Trimethylgallium(TMG) / p98 (0054.jp2)
  23. 5-1.Introduction / p98 (0054.jp2)
  24. 5-2.Experimental Procedure / p100 (0055.jp2)
  25. 5-3.Carbon Doping Characteristics for MOMBE of InGaAs Using TMG / p102 (0056.jp2)
  26. 5-4.Growth Kinetics for MOMBE of Heavily Carbon Doped InGaAs and Control of In Molar Fraction / p110 (0060.jp2)
  27. 5-5.Summary / p134 (0072.jp2)
  28. Chapter 6 Stability of Carbon in III-V Compound Semiconductors / p136 (0073.jp2)
  29. 6-1.Introduction / p136 (0073.jp2)
  30. 6-2.Diffusion Behavior of Carbon in GaAs / p138 (0074.jp2)
  31. 6-3.Carbon in InP / p151 (0080.jp2)
  32. 6-4.Summary / p155 (0082.jp2)
  33. Chapter 7 Application of Carbon Doped n-type InP to Heavily Carbon Doped Base InP/InGaAs HBTs / p156 (0083.jp2)
  34. 7-1.Introduction / p156 (0083.jp2)
  35. 7-2.Experimental Procedure / p159 (0084.jp2)
  36. 7-3.DC Characteristics / p166 (0088.jp2)
  37. 7-4.Summary / p172 (0091.jp2)
  38. Chapter 8 General Conclusions / p173 (0091.jp2)
  39. Acknowledgments / p178 (0094.jp2)
  40. References / p180 (0095.jp2)
  41. List of Publications / p194 (0102.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153654
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001092670
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000317968
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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