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半導体基板上への常誘電性および強誘電性弗化物薄膜の形成とデバイス応用に関する研究 半導体基板上への常誘電性および強誘電性弗化物薄膜の形成とデバイス応用に関する研究

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著者

    • 會澤, 康治 アイザワ, コウジ

書誌事項

タイトル

半導体基板上への常誘電性および強誘電性弗化物薄膜の形成とデバイス応用に関する研究

タイトル別名

半導体基板上への常誘電性および強誘電性弗化物薄膜の形成とデバイス応用に関する研究

著者名

會澤, 康治

著者別名

アイザワ, コウジ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第2963号

学位授与年月日

1996-11-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 論文目次 / (0008.jp2)
  3. 第1章 序論 / (0012.jp2)
  4. 1-1 はじめに / p2 (0013.jp2)
  5. 1-2 常誘電性弗化物膜の化合物半導体デバイスへの応用 / p6 (0017.jp2)
  6. 1-3 強誘電性弗化物膜を用いた半導体デバイスの可能性 / p12 (0023.jp2)
  7. 1-4 金属無機弗化物膜の優位性 / p22 (0033.jp2)
  8. 1-5 本研究の目的と意義 / p24 (0035.jp2)
  9. 1-6 本論文の構成 / p26 (0037.jp2)
  10. 参考文献 / p28 (0039.jp2)
  11. 第2章 GaAs基板上への常誘電性A1F₃薄膜の形成 / (0040.jp2)
  12. 2-1 はじめに / p30 (0041.jp2)
  13. 2-2 A1F₃薄膜のGaAs(100)基板工への形成 / p36 (0047.jp2)
  14. 2-3 A1F₃/GaAs構造の評価 / p41 (0052.jp2)
  15. 2-4 まとめ / p53 (0064.jp2)
  16. 参考文献 / p54 (0065.jp2)
  17. 第3章 GaAs基板上への常誘電性YxLa₁₋xF₃薄膜のエピタキシャル成長 / (0066.jp2)
  18. 3-1 はじめに / p56 (0067.jp2)
  19. 3-2 YxLa₁₋xF₃薄膜の成膜方法 / p63 (0074.jp2)
  20. 3-3 GaAs(111)B基板上に成長したYxLa₁₋xF₃薄膜の評価 / p69 (0080.jp2)
  21. 3-4 YxLa₁₋xF₃/GaAs(111) B構造の電気的特性とデバイス応用 / p85 (0096.jp2)
  22. 3-5 まとめ / p96 (0107.jp2)
  23. 参考論文 / p97 (0108.jp2)
  24. 第4章 強誘電性弗化物BaMgF₄膜の半導体基板上への成長 / (0109.jp2)
  25. 4-1 はじめに / p99 (0110.jp2)
  26. 4-2 BaMgF₄膜のGaAsおよびSi基板上への形成 / p111 (0122.jp2)
  27. 4-3 GaAs基板上に形成したBaMgF₄膜の評価 / p119 (0130.jp2)
  28. 4-4 Si基板上に形成したBaMgF₄膜の評価 / p127 (0138.jp2)
  29. 4-5 まとめ / p151 (0162.jp2)
  30. 参考文献 / p152 (0163.jp2)
  31. 第5章 GaAsおよびSi基板上へ成長した強誘電性BaMgF₄薄膜の電気的特性評価とデバイス応用 / (0164.jp2)
  32. 5-1 はじめに / p154 (0165.jp2)
  33. 5-2 GaAs基板上に形成したBaMgF₄膜の電気的特性評価 / p170 (0181.jp2)
  34. 5-3 Si基板上に成長したBaMgF₄膜の電気的特性評価 / p178 (0189.jp2)
  35. 5-4 BaMgF₄/Si構造を用いた電界効果トランジスタの作製と評価 / p203 (0214.jp2)
  36. 5-5 まとめ / p221 (0232.jp2)
  37. 参考文献 / p223 (0234.jp2)
  38. 第6章 結論 / (0235.jp2)
  39. 6-1 本研究で得られた結論 / p225 (0236.jp2)
  40. 6-2 本研究で得られた主な成果 / p230 (0241.jp2)
  41. 6-3 今後に残された課題 / p231 (0242.jp2)
  42. 謝辞 / p233 (0244.jp2)
  43. 発表論文および学会発表一覧 / p234 (0245.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153833
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001092847
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000318147
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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