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Radical kinetics and its control in chemical vapor deposition of amorphous, microcrystalline and polycrystalline silicon thin films アモルファス, 微結晶および多結晶シリコン薄膜の化学気相堆積におけるラジカル反応過程とその制御に関する研究

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著者

    • 白藤, 立 シラフジ, タツル

書誌事項

タイトル

Radical kinetics and its control in chemical vapor deposition of amorphous, microcrystalline and polycrystalline silicon thin films

タイトル別名

アモルファス, 微結晶および多結晶シリコン薄膜の化学気相堆積におけるラジカル反応過程とその制御に関する研究

著者名

白藤, 立

著者別名

シラフジ, タツル

学位授与大学

京都大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第9750号

学位授与年月日

1998-01-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. Contents / p5 (0006.jp2)
  3. Abstract / p1 (0004.jp2)
  4. Acknowledgments / p3 (0005.jp2)
  5. 1.Introduction / p1 (0008.jp2)
  6. 1.1 PE-CVD of silicon thin films / p1 (0008.jp2)
  7. 1.2 Diagnostics / p3 (0009.jp2)
  8. 1.3 Modeling and simulation / p6 (0011.jp2)
  9. 1.4 Scope of the thesis / p9 (0012.jp2)
  10. 1.5 Constitution of the thesis / p10 (0013.jp2)
  11. References / p11 (0013.jp2)
  12. 2. Photo-CVD of a-Si:H using Si₂H₆ and 147 nm excitation / p15 (0015.jp2)
  13. 2.1 Introduction / p15 (0015.jp2)
  14. 2.2 Film preparation / p16 (0016.jp2)
  15. 2.3 Properties of a-Si:H films from Si₂H₆+147 nm / p19 (0017.jp2)
  16. 2.4 Doping characteristics / p32 (0024.jp2)
  17. 2.5 Summary / p38 (0027.jp2)
  18. References / p40 (0028.jp2)
  19. 3.Reaction kinetics in photo-CVD of a-Si:H / p43 (0029.jp2)
  20. 3.1 Introduction / p43 (0029.jp2)
  21. 3.2 Experiments / p44 (0030.jp2)
  22. 3.3 Gas-phase reaction simulation / p50 (0033.jp2)
  23. 3.4 Surface reaction simulation / p65 (0040.jp2)
  24. 3.5 Summary / p75 (0045.jp2)
  25. References / p76 (0046.jp2)
  26. 4.Reaction kinetics in PE-CVD of a-Si:H / p79 (0047.jp2)
  27. 4.1 Introduction / p79 (0047.jp2)
  28. 4.2 Measurement of SiH₂ radical density / p80 (0048.jp2)
  29. 4.3 Gas-phase reaction simulation / p84 (0050.jp2)
  30. 4.4 Surface reaction simulation / p96 (0056.jp2)
  31. 4.5 In situ surface observation / p99 (0057.jp2)
  32. 4.6 Summary / p101 (0058.jp2)
  33. References / p102 (0059.jp2)
  34. 5. Reaction kinetics in PE-CVD of poly-Si / p105 (0060.jp2)
  35. 5.1 Introduction / p105 (0060.jp2)
  36. 5.2 Deposition with SiF₄/SiH₄/H₂ / p106 (0061.jp2)
  37. 5.3 Gas-phase reaction simulation / p115 (0065.jp2)
  38. 5.4 Roles of fluorinated radicals / p118 (0067.jp2)
  39. 5.5 Roles of hydrogen radicals / p120 (0068.jp2)
  40. 5.6 Summary / p126 (0071.jp2)
  41. References / p128 (0072.jp2)
  42. 6.Conclusions / p131 (0073.jp2)
  43. 6.1 Conclusions / p131 (0073.jp2)
  44. 6.2 Future prospects / p132 (0074.jp2)
  45. References / p134 (0075.jp2)
  46. List of publication / p135 (0075.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000154118
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001093128
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000318432
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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