Ⅲ[2]Ⅵ[3]族空孔化合物半導体の結晶多形と電子構造
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著者
書誌事項
- タイトル
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Ⅲ[2]Ⅵ[3]族空孔化合物半導体の結晶多形と電子構造
- 著者名
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石川, 真人
- 著者別名
-
イシカワ, マサト
- 学位授与大学
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千葉大学
- 取得学位
-
博士 (理学)
- 学位授与番号
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甲第1487号
- 学位授与年月日
-
1998-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p2 (0003.jp2)
- 1 序章 / p4 (0005.jp2)
- 1.1 III₂VI₃族空孔化合物半導体とは / p4 (0005.jp2)
- 1.2 III₂VI₃族空孔化合物半導体の結晶構造 / p6 (0007.jp2)
- 1.3 研究目的 / p11 (0012.jp2)
- 1.4 論文の構成 / p13 (0014.jp2)
- 2 計算方法 / p14 (0015.jp2)
- 2.1 全エネルギーの表式 / p14 (0015.jp2)
- 2.2 運動量空間の表示 / p15 (0016.jp2)
- 3 秩序空孔相□Ga₂Se₃ / p18 (0019.jp2)
- 3.1 背景 / p18 (0019.jp2)
- 3.2 目的 / p22 (0023.jp2)
- 3.3 計算結果 / p22 (0023.jp2)
- 3.4 結論 / p37 (0038.jp2)
- 4 層状構造型△In₂Se₃ / p41 (0042.jp2)
- 4.1 背景 / p41 (0042.jp2)
- 4.2 目的 / p45 (0046.jp2)
- 4.3 計算結果 / p46 (0047.jp2)
- 4.4 結論 / p66 (0067.jp2)
- 5 メゾスコピック相Ga₂Te₃とGa₂Se₃ / p67 (0068.jp2)
- 5.1 背景 / p67 (0068.jp2)
- 5.2 目的 / p72 (0073.jp2)
- 5.3 計算結果 / p72 (0073.jp2)
- 5.4 結論 / p80 (0081.jp2)
- 6 III-VI化合物の多形と配位数 / p82 (0083.jp2)
- 6.1 電気陰性度差と結晶多形 / p82 (0083.jp2)
- 6.2 空孔原子と配位数 / p83 (0084.jp2)
- 7 まとめ / p86 (0087.jp2)