絶縁膜上薄膜単結晶シリコン基板 (TF-SOI) における素子分離技術とそのロジックLSIへの適用に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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絶縁膜上薄膜単結晶シリコン基板 (TF-SOI) における素子分離技術とそのロジックLSIへの適用に関する研究
- 著者名
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岩松, 俊明
- 著者別名
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イワマツ, トシアキ
- 学位授与大学
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大阪大学
- 取得学位
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博士 (工学)
- 学位授与番号
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乙第7418号
- 学位授与年月日
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1998-02-18
注記・抄録
博士論文
資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
目次
- 目次
- 第1章 序章
- 1-1 研究の背景
- 1-2 薄膜SOI基板とSOIデバイス技術の検討
- 1-3 本研究の目的
- 1-4 本研究の構成
- 第2章 大規模集積回路用SOI基板選定とその評価技術
- 2-1 はじめに
- 2-2 薄膜SOI基板の作製方法
- 2-3 薄膜SOI基板の仕様と評価基準
- 2-4 SOI基板の欠陥評価
- 2-5 ドレインリーク電流特性の比較
- 2-6 埋め込み酸化膜のリーク電流評価
- 2-7 ゲート酸化膜の信頼性およびMOSFET歩留まりに及ぼす埋め込み酸化膜の欠陥密度の影響
- 2-8 まとめ
- 第3章 サブハーフマイクロン以降の素子分離技術
- 3-1 はじめに
- 3-2 LOCOS分離技術
- 3-3 MESA分離技術
- 3-4 フィールドシールド(FS)分離技術
- 3-5 まとめ
- 第4章 基板浮遊効果の抑制
- 4-1 はじめに
- 4-2 FS分離構造による電気特性の向上
- 4-3 インバータ過渡応答におけるSOI基板電位の変動
- 4-4 FS分離による遅延速度の周波数依存性の抑制
- 4-5 まとめ
- 第5章 薄膜SOI素子の実用デバイスでの優位性実証
- 5-1 はじめに
- 5-2 フィールドシールド(FS)分離を用いた回路レイアウト
- 5-3 FS分離SOIデバイスの基本性能評価
- 5-4 SOIデバイスに最適な回路構成の検討
- 5-5 SOI 1/8分周器
- 5-6 FS分離の大規模SOIRAM
- 5-7 まとめ
- 第6章 結論
- 謝辞
- 研究業績目録
- 略語表