3C-SiC/Siの初期ヘテロ成長機構の研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
3C-SiC/Siの初期ヘテロ成長機構の研究
- 著者名
-
小杉, 亮治
- 著者別名
-
コスギ, リョウジ
- 学位授与大学
-
東北大学
- 取得学位
-
博士(工学)
- 学位授与番号
-
甲第6862号
- 学位授与年月日
-
1999-03-25
注記・抄録
博士論文
博士学位論文 (Thesis(doctor))
目次
- 目次 / (0004.jp2)
- 第一章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1.1 研究背景 / p1 (0007.jp2)
- 1.2 研究の概要 / p17 (0023.jp2)
- 参考文献 / p20 (0026.jp2)
- 第二章 実験方法と実験装置 / p22 (0028.jp2)
- 2.1 光電子回折法 / p22 (0028.jp2)
- 2.2 反射高速電子回折-オージェ電子分光(RHEED-AES)法 / p37 (0043.jp2)
- 2.3 走査トンネル顕微鏡(STM) / p40 (0046.jp2)
- 2.4 試料と実験手順 / p45 (0051.jp2)
- 参考文献 / p49 (0055.jp2)
- 第三章 Si(001)表面の炭化におけるc(4×4)表面と[化学式]合金層形成過程 / p51 (0057.jp2)
- 3.1 緒言 / p51 (0057.jp2)
- 3.2 炭化過程のLEED,XPS観察 / p54 (0060.jp2)
- 3.3 Si(001)c(4×4)-C表面のSTM,XPD,SRPD観察 / p57 (0063.jp2)
- 3.4 考察 / p74 (0080.jp2)
- 3.5 結語 / p85 (0090.jp2)
- 参考文献 / p88 (0092.jp2)
- 付録 / p90 (0094.jp2)
- 第四章 Si(001)表面の炭化における3C-SiCの核形成機構と成長過程 / p93 (0097.jp2)
- 4.1 緒言 / p93 (0097.jp2)
- 4.2 RHEED-AESによる炭化過程の高温｢その場｣観察 / p95 (0098.jp2)
- 4.3 STMによる炭化表面の形態観察 / p114 (0117.jp2)
- 4.4 考察 / p124 (0127.jp2)
- 4.5 結語 / p134 (0137.jp2)
- 参考文献 / p136 (0139.jp2)
- 第五章 Si(001)表面の炭化過程へのゲルマニウムの影響 / p137 (0140.jp2)
- 5.1 緒言 / p137 (0140.jp2)
- 5.2 Ge蒸着Si表面の炭化過程のXPS,XPD観察 / p139 (0142.jp2)
- 5.3 考察 / p153 (0156.jp2)
- 5.4 結語 / p155 (0158.jp2)
- 参考文献 / p157 (0160.jp2)
- 第六章 結論 / p158 (0161.jp2)
- 謝辞 / p162 (0165.jp2)