単結晶薄膜によるトンネル陰極の形成に関する研究

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著者

    • 根尾, 陽一郎 ネオ, ヨウイチロウ

書誌事項

タイトル

単結晶薄膜によるトンネル陰極の形成に関する研究

著者名

根尾, 陽一郎

著者別名

ネオ, ヨウイチロウ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第6904号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

課程

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1-1 真空マイクロエレクトロニクス / p1 (0005.jp2)
  4. 1-2 放射電子のエネルギー設計の可能性 / p2 (0006.jp2)
  5. 1-3 本研究の成果 / p2 (0006.jp2)
  6. 1-4 本論文の構成 / p3 (0007.jp2)
  7. 参考文献 / p4 (0008.jp2)
  8. 第2章 MOS型トンネル陰極と共鳴トンネル陰極 / p5 (0009.jp2)
  9. 2-1 はじめに / p5 (0009.jp2)
  10. 2-2 MOS型トンネル陰極 / p5 (0009.jp2)
  11. 2-3 シリコン・酸化アルミニウム量子井戸構造 / p8 (0012.jp2)
  12. 2-4 まとめ / p11 (0015.jp2)
  13. 参考文献 / p12 (0016.jp2)
  14. 第3章 III-V族化合物半導体共鳴トンネル陰極 / p13 (0017.jp2)
  15. 3-1 はじめに / p13 (0017.jp2)
  16. 3-2 共鳴トンネル陰極の動作機構 / p13 (0017.jp2)
  17. 3-3 計算結果及び構造決定 / p15 (0019.jp2)
  18. 3-4 共鳴トンネル陰極製作プロセス / p15 (0019.jp2)
  19. 3-5 共鳴トンネル陰極の動作実験 / p20 (0024.jp2)
  20. 3-6 新構造の提案 / p24 (0028.jp2)
  21. 3-7 まとめ / p24 (0028.jp2)
  22. 第4章 Si上のアルミニウムエピタキシャル薄膜の成長 / p25 (0029.jp2)
  23. 4-1 はじめに / p25 (0029.jp2)
  24. 4-2 Al-MOMBE用有機金属ガス(dimethylethylamine alane) / p26 (0030.jp2)
  25. 4-3 AI-MOMBE装置及び成長方法 / p26 (0030.jp2)
  26. 4-4 Al薄膜の成長実験 / p28 (0032.jp2)
  27. 4-5 FTIRによる表面反応のその場観察 / p39 (0043.jp2)
  28. 4-6 まとめ / p47 (0051.jp2)
  29. 第5章 単結晶酸化アルミニウム薄膜の成長 / p50 (0054.jp2)
  30. 5-1 はじめに / p50 (0054.jp2)
  31. 5-2 アルミニウム酸化膜 / p50 (0054.jp2)
  32. 5-3 Al₂O₃薄膜の成長方法及び成長手順 / p52 (0056.jp2)
  33. 5-4 単結晶Al₂O₃薄膜成長 / p52 (0056.jp2)
  34. 5-5 単結晶Al₂O₃薄膜の電気的特性 / p58 (0062.jp2)
  35. 5-6 考察 / p60 (0064.jp2)
  36. 5-7 まとめ / p60 (0064.jp2)
  37. 第6章 結論 / p61 (0065.jp2)
  38. 参考文献 / p63 (0067.jp2)
  39. 付録A Dimethyl-Aluminum hydride[DMAH]のシリコン表面との反応過程 / p65 (0069.jp2)
  40. A-1 はじめに / p65 (0069.jp2)
  41. A-2 実験方法 / p65 (0069.jp2)
  42. A-3 実験結果 / p65 (0069.jp2)
  43. A-4 まとめ / p66 (0070.jp2)
  44. 付録B Disilane[Si₂H₆]のシリコン表面との反応過程 / p70 (0074.jp2)
  45. B-1 はじめに / p70 (0074.jp2)
  46. B-2 実験方法 / p70 (0074.jp2)
  47. B-3 実験結果 / p70 (0074.jp2)
  48. B-4 まとめ / p88 (0092.jp2)
  49. 付録C Transfer Matrix法による計算 / p89 (0093.jp2)
  50. 参考文献 / p94 (0098.jp2)
  51. 本論文に関する発表 / p95 (0099.jp2)
  52. 謝辞 / p96 (0100.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000170923
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000171197
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000335237
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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