単結晶薄膜によるトンネル陰極の形成に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
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単結晶薄膜によるトンネル陰極の形成に関する研究
- Author
-
根尾, 陽一郎
- Author(Another name)
-
ネオ, ヨウイチロウ
- University
-
東北大学
- Types of degree
-
博士(工学)
- Grant ID
-
甲第6904号
- Degree year
-
1999-03-25
Note and Description
博士論文
博士学位論文 (Thesis(doctor))
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1-1 真空マイクロエレクトロニクス / p1 (0005.jp2)
- 1-2 放射電子のエネルギー設計の可能性 / p2 (0006.jp2)
- 1-3 本研究の成果 / p2 (0006.jp2)
- 1-4 本論文の構成 / p3 (0007.jp2)
- 参考文献 / p4 (0008.jp2)
- 第2章 MOS型トンネル陰極と共鳴トンネル陰極 / p5 (0009.jp2)
- 2-1 はじめに / p5 (0009.jp2)
- 2-2 MOS型トンネル陰極 / p5 (0009.jp2)
- 2-3 シリコン･酸化アルミニウム量子井戸構造 / p8 (0012.jp2)
- 2-4 まとめ / p11 (0015.jp2)
- 参考文献 / p12 (0016.jp2)
- 第3章 III-V族化合物半導体共鳴トンネル陰極 / p13 (0017.jp2)
- 3-1 はじめに / p13 (0017.jp2)
- 3-2 共鳴トンネル陰極の動作機構 / p13 (0017.jp2)
- 3-3 計算結果及び構造決定 / p15 (0019.jp2)
- 3-4 共鳴トンネル陰極製作プロセス / p15 (0019.jp2)
- 3-5 共鳴トンネル陰極の動作実験 / p20 (0024.jp2)
- 3-6 新構造の提案 / p24 (0028.jp2)
- 3-7 まとめ / p24 (0028.jp2)
- 第4章 Si上のアルミニウムエピタキシャル薄膜の成長 / p25 (0029.jp2)
- 4-1 はじめに / p25 (0029.jp2)
- 4-2 Al-MOMBE用有機金属ガス(dimethylethylamine alane) / p26 (0030.jp2)
- 4-3 AI-MOMBE装置及び成長方法 / p26 (0030.jp2)
- 4-4 Al薄膜の成長実験 / p28 (0032.jp2)
- 4-5 FTIRによる表面反応のその場観察 / p39 (0043.jp2)
- 4-6 まとめ / p47 (0051.jp2)
- 第5章 単結晶酸化アルミニウム薄膜の成長 / p50 (0054.jp2)
- 5-1 はじめに / p50 (0054.jp2)
- 5-2 アルミニウム酸化膜 / p50 (0054.jp2)
- 5-3 Al₂O₃薄膜の成長方法及び成長手順 / p52 (0056.jp2)
- 5-4 単結晶Al₂O₃薄膜成長 / p52 (0056.jp2)
- 5-5 単結晶Al₂O₃薄膜の電気的特性 / p58 (0062.jp2)
- 5-6 考察 / p60 (0064.jp2)
- 5-7 まとめ / p60 (0064.jp2)
- 第6章 結論 / p61 (0065.jp2)
- 参考文献 / p63 (0067.jp2)
- 付録A Dimethyl-Aluminum hydride[DMAH]のシリコン表面との反応過程 / p65 (0069.jp2)
- A-1 はじめに / p65 (0069.jp2)
- A-2 実験方法 / p65 (0069.jp2)
- A-3 実験結果 / p65 (0069.jp2)
- A-4 まとめ / p66 (0070.jp2)
- 付録B Disilane[Si₂H₆]のシリコン表面との反応過程 / p70 (0074.jp2)
- B-1 はじめに / p70 (0074.jp2)
- B-2 実験方法 / p70 (0074.jp2)
- B-3 実験結果 / p70 (0074.jp2)
- B-4 まとめ / p88 (0092.jp2)
- 付録C Transfer Matrix法による計算 / p89 (0093.jp2)
- 参考文献 / p94 (0098.jp2)
- 本論文に関する発表 / p95 (0099.jp2)
- 謝辞 / p96 (0100.jp2)