低エネルギイオン照射を用いた低温シリコン薄膜形成プロセスの研究

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著者

    • 進藤, 亘 シンドウ, ワタル

書誌事項

タイトル

低エネルギイオン照射を用いた低温シリコン薄膜形成プロセスの研究

著者名

進藤, 亘

著者別名

シンドウ, ワタル

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第6907号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1.1 固体電子工学の発展 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.2 結晶成長の低温化と低エネルギイオン照射プロセス / p2 (0008.jp2)
  5. 1.3 インライン欠陥検査を用いた歩留り管理 / p4 (0010.jp2)
  6. 1.4 本研究の目的 / p6 (0012.jp2)
  7. 1.5 本論文の構成 / p7 (0013.jp2)
  8. 1.6 参考文献 / p8 (0014.jp2)
  9. 第2章 低エネルギイオン照射を用いた低温シリコンエピタキシャル成長 / p11 (0017.jp2)
  10. 2.1 はじめに / p11 (0017.jp2)
  11. 2.2 低エネルギイオン照射プロセス / p14 (0020.jp2)
  12. 2.3 RF-DC結合バイアススパッタ装置 / p16 (0022.jp2)
  13. 2.4 実験方法 / p20 (0026.jp2)
  14. 2.5 イオン照射エネルギ依存性 / p24 (0030.jp2)
  15. 2.6 イオン照射量依存性 / p27 (0033.jp2)
  16. 2.7 基板温度依存性 / p32 (0038.jp2)
  17. 2.8 まとめ / p34 (0040.jp2)
  18. 2.9 参考文献 / p36 (0042.jp2)
  19. 第3章 ドーパント種・照射イオン種がシリコンの結晶成長に及ぼす効果 / p39 (0045.jp2)
  20. 3.1 はじめに / p39 (0045.jp2)
  21. 3.2 実験方法 / p40 (0046.jp2)
  22. 3.3 ドーパント種依存性 / p41 (0047.jp2)
  23. 3.4 大きくて重いイオンを用いた低温化 / p44 (0050.jp2)
  24. 3.5 低エネルギイオン照射による結晶成長促進モデル / p54 (0060.jp2)
  25. 3.6 まとめ / p63 (0069.jp2)
  26. 3.7 参考文献 / p65 (0071.jp2)
  27. 第4章 マイクロ波励起高密度プラズマを用いた低温多結晶シリコン薄膜形成 / p67 (0073.jp2)
  28. 4.1 はじめに / p67 (0073.jp2)
  29. 4.2 実験方法 / p70 (0076.jp2)
  30. 4.3 プラズマ特性 / p75 (0081.jp2)
  31. 4.4 低温多結晶シリコン成膜 / p80 (0086.jp2)
  32. 4.5 まとめ / p84 (0090.jp2)
  33. 4.6 参考文献 / p86 (0092.jp2)
  34. 第5章 インライン欠陥検査に基づく歩留り予測と欠陥の成長 / p87 (0093.jp2)
  35. 5.1 はじめに / p87 (0093.jp2)
  36. 5.2 歩留りと欠陥 / p88 (0094.jp2)
  37. 5.3 インライン欠陥検査 / p90 (0096.jp2)
  38. 5.4 歩留りモデル / p93 (0099.jp2)
  39. 5.5 インライン・ウェーハ検査を用いた歩留り予測 / p100 (0106.jp2)
  40. 5.6 欠陥の成長を考慮した新しい歩留りモデル / p108 (0114.jp2)
  41. 5.7 層間および層内の欠陥伝搬 / p110 (0116.jp2)
  42. 5.8 まとめ / p116 (0122.jp2)
  43. 5.9 参考文献 / p117 (0123.jp2)
  44. 第6章 プロセス異常検出と発生源究明のための欠陥分類手法 / p118 (0124.jp2)
  45. 6.1 はじめに / p118 (0124.jp2)
  46. 6.2 欠陥の種類に主眼を置いたプロセス異常検出手法 / p122 (0128.jp2)
  47. 6.3 欠陥タイプのグルーピングを用いたプロセス異常検出 / p123 (0129.jp2)
  48. 6.4 欠陥の種類に基づいたエクスカーション発生源の同定 / p139 (0145.jp2)
  49. 6.5 まとめ / p143 (0149.jp2)
  50. 6.6 参考文献 / p145 (0151.jp2)
  51. 第7章 結論 / p146 (0152.jp2)
  52. 付録 / p148 (0154.jp2)
  53. 付録A キル確率を精度良く見積もるのに必要なウェーハ生産数 / p148 (0154.jp2)
  54. 謝辞 / p153 (0159.jp2)
  55. 本研究に関する発表 / p155 (0161.jp2)
  56. 学術論文 / p155 (0161.jp2)
  57. 国際会議 / p155 (0161.jp2)
  58. 研究会 / p157 (0163.jp2)
  59. 書籍 / p157 (0163.jp2)
  60. 出願中特許 / p158 (0164.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000170926
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000171200
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000335240
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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