InAs/GaSb/AlSbヘテロ構造の作製とそのデバイス応用に関する研究

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著者

    • 大谷, 啓太 オオタニ, ケイタ

書誌事項

タイトル

InAs/GaSb/AlSbヘテロ構造の作製とそのデバイス応用に関する研究

著者名

大谷, 啓太

著者別名

オオタニ, ケイタ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第6911号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章 総論 / p1 (0009.jp2)
  3. 1-1 本研究の背景 / p1 (0009.jp2)
  4. 1-2 本研究の目的 / p6 (0014.jp2)
  5. 1-3 本論文の構成 / p8 (0016.jp2)
  6. 参考文献 / p9 (0017.jp2)
  7. 第2章 InAs/GaSb/AlSbヘテロ構造サブバンド間発光素子の理論 / p13 (0021.jp2)
  8. 2-1 はじめに / p13 (0021.jp2)
  9. 2-2 量子井戸構造サブバンド / p13 (0021.jp2)
  10. 2-3 InAs/GaSb/AlSb量子井戸構造サブバンド間発光素子の基礎特性の検討 / p34 (0042.jp2)
  11. 2-4 まとめ / p47 (0055.jp2)
  12. 参考文献 / p48 (0056.jp2)
  13. 第3章 分子線エピタキシー(MBE)法によるInAs/GaSb/AlSbヘテロ構造の作製 / p49 (0057.jp2)
  14. 3-1 はじめに / p49 (0057.jp2)
  15. 3-2 分子線エピタキシー(MBE)法 / p49 (0057.jp2)
  16. 3-3 分子線エピタキシー装置 / p51 (0059.jp2)
  17. 3-4 InAs/GaSb/AlSbヘテロ構造のMBE成長 / p53 (0061.jp2)
  18. 3-5 まとめ / p70 (0078.jp2)
  19. 参考文献 / p70 (0078.jp2)
  20. 第4章 InAs/GaSb/AlSbヘテロ構造サブバンド間発光素子の輸送特性 / p72 (0080.jp2)
  21. 4-1 はじめに / p72 (0080.jp2)
  22. 4-2 InAs/AlSb/GaSb/AlSb/InAs 2重障壁共鳴トンネルダイオードの電流-電圧特性の検討 / p73 (0081.jp2)
  23. 4-3 InAs/AlSb/InAs/AlSb/GaSb/AlSb/InAs 3重障壁共鳴トンネルダイオードの電流-電圧特性 / p81 (0089.jp2)
  24. 4-4 まとめ / p86 (0094.jp2)
  25. 参考文献 / p86 (0094.jp2)
  26. 第5章 InAs/GaSb/AlSbヘテロ構造サブバンド間発光素子の電流注入による発光 / p87 (0095.jp2)
  27. 5-1 はじめに / p87 (0095.jp2)
  28. 5-2 試料構造 / p87 (0095.jp2)
  29. 5-3 発光デバイスの作製 / p89 (0097.jp2)
  30. 5-4 分光装置 / p90 (0098.jp2)
  31. 5-5 サブバンド間発光素子の電流注入による発光 / p94 (0102.jp2)
  32. 5-6 サブバンド間発光素子とバンド間発光素子の発光特性の比較 / p100 (0108.jp2)
  33. 5-7 まとめ / p105 (0113.jp2)
  34. 参考文献 / p106 (0114.jp2)
  35. 第6章 結論 / p107 (0115.jp2)
  36. 謝辞 / p111 (0119.jp2)
  37. 研究業績 / p112 (0120.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000170930
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000171204
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000335244
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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