化合物半導体の表面・界面制御に関する研究

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著者

    • 庄子, 大生 シヨウジ, ダイセイ

書誌事項

タイトル

化合物半導体の表面・界面制御に関する研究

著者名

庄子, 大生

著者別名

シヨウジ, ダイセイ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第6916号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.2 研究の目的 / p13 (0019.jp2)
  5. 1.3 本論文の構成 / p14 (0020.jp2)
  6. 第1章の参考文献 / p15 (0021.jp2)
  7. 第2章 GaAsの表面処理 / p17 (0023.jp2)
  8. 2.1 はじめに / p17 (0023.jp2)
  9. 2.2 ウェット処理したGaAs表面の化学状態 / p17 (0023.jp2)
  10. 2.3 SとGaAsの相互作用 / p27 (0033.jp2)
  11. 2.4 第2章のまとめ / p41 (0047.jp2)
  12. 第2章の参考文献 / p42 (0048.jp2)
  13. 第3章 金属/GaAs界面の化学状態 / p43 (0049.jp2)
  14. 3.1 はじめに / p43 (0049.jp2)
  15. 3.2 本研究で用いた金属 / p44 (0050.jp2)
  16. 3.3 実験方法 / p44 (0050.jp2)
  17. 3.4 金属/GaAs界面における界面反応 / p45 (0051.jp2)
  18. 3.5 界面反応とフェルミ準位のピニング位置 / p73 (0079.jp2)
  19. 3.6 第3章のまとめ / p83 (0089.jp2)
  20. 第3章の参考文献 / p85 (0091.jp2)
  21. 第4章 絶縁体/GaAs界面の形成 / p86 (0092.jp2)
  22. 4.1 はじめに / p86 (0092.jp2)
  23. 4.2 実験方法 / p89 (0095.jp2)
  24. 4.3 CaF₂の低温エピタキシャル成長 / p90 (0096.jp2)
  25. 4.4 成長したCaF₂の結晶性と表面形状 / p93 (0099.jp2)
  26. 4.5 MISダイオードの作製とC-V特性 / p96 (0102.jp2)
  27. 4.6 第4章のまとめ / p101 (0107.jp2)
  28. 第4章の参考文献 / p104 (0110.jp2)
  29. 第5章 結論 / p105 (0111.jp2)
  30. 謝辞 / p107 (0113.jp2)
  31. 本研究に関する研究発表 / p109 (0115.jp2)
  32. 本研究に関する発表論文 / p110 (0116.jp2)
  33. 付録 / p111 (0117.jp2)
  34. A.1 表面準位による[数式]のピニング機構 / p111 (0117.jp2)
  35. A.2 原子吸光分析法による[化学式]溶液中の重金属濃度 / p117 (0123.jp2)
  36. A.3 光電子分光法とスペクトルの解析方法 / p121 (0127.jp2)
  37. A.4 多重内部反射赤外吸収分光法 / p131 (0137.jp2)
  38. A.5 ラザフォード後方散乱法 / p136 (0142.jp2)
  39. A.6 分子線エピタキシ装置の製作 / p141 (0147.jp2)
  40. 参考文献 / p147 (0153.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000170935
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000171209
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000335249
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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