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Si系ガスソースMBEに関する研究

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著者

    • 中澤, 日出樹 ナカザワ, ヒデキ

書誌事項

タイトル

Si系ガスソースMBEに関する研究

著者名

中澤, 日出樹

著者別名

ナカザワ, ヒデキ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第6917号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第一章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 成長機構に関するこれまでの知見と本研究の概要 / p3 (0008.jp2)
  5. 1.3 論文の構成 / p7 (0012.jp2)
  6. 第二章 実験方法 / p10 (0015.jp2)
  7. 2.1 実験装置 / p10 (0015.jp2)
  8. 2.2 原料ガス・基板の前処理 / p22 (0027.jp2)
  9. 2.3 薄膜成長手順 / p27 (0032.jp2)
  10. 第三章 SiガスソースMBE法によるSi薄膜の成長機構 / p32 (0037.jp2)
  11. 3.1 はじめに / p32 (0037.jp2)
  12. 3.2 評価方法 / p35 (0040.jp2)
  13. 3.3 実験結果-成長速度アレニウスプロットと水素被覆率- / p42 (0047.jp2)
  14. 3.4 成長中Si表面からの水素脱離過程-低温成長速度活性化エネルギーと水素脱離エネルギー- / p47 (0052.jp2)
  15. 3.5 成長中Si表面への原料ガス吸着過程 / p55 (0060.jp2)
  16. 3.6 シランとジシランの成長速度活性化エネルギーの違い / p69 (0074.jp2)
  17. 3.7 成長凍結表面からの水素脱離反応次数 / p70 (0075.jp2)
  18. 第四章 水素化Si(100)表面からの真空中水素脱離カイネティクス / p87 (0092.jp2)
  19. 4.1 はじめに / p87 (0092.jp2)
  20. 4.2 室温吸着、室温吸着/アニール実験手順 / p88 (0093.jp2)
  21. 4.3 水素吸着・脱離履歴による水素脱離過程の違い / p89 (0094.jp2)
  22. 4.4 Si(100)表面からの水素脱離過程のシミュレーション / p100 (0105.jp2)
  23. 第五章 C吸着Si(100)表面からの水素脱離過程とモノメチルシランを用いたSi(100)上SiCガスソースMBEの成長機構 / p115 (0120.jp2)
  24. 5.1 はじめに / p115 (0120.jp2)
  25. 5.2 評価方法 / p117 (0122.jp2)
  26. 5.3 アセチレン、モノメチルシラン吸着Si(100)表面からの水素脱離 / p120 (0125.jp2)
  27. 5.4 成長薄膜の表面モフォロジーの成長温度・圧力依存性 / p130 (0135.jp2)
  28. 5.5 成長薄膜の結晶性の成長温度・圧力依存性 / p137 (0142.jp2)
  29. 5.6 成長薄膜の組成比の成長温度・圧力依存性 / p144 (0149.jp2)
  30. 5.7 マススキャン昇温脱離法によるモノメチルシラン吸着Si(100)表面からの脱離種測定 / p151 (0156.jp2)
  31. 5.8 モノメチルシランを用いたSi上SiCガスソースMBEの成長機構 / p154 (0159.jp2)
  32. 第六章 結論 / p164 (0169.jp2)
  33. 本研究に関する発表論文 / p167 (0172.jp2)
  34. 本研究に関する学会発表 / p168 (0173.jp2)
  35. 謝辞 / p170 (0175.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000170936
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000171210
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000335250
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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