Study of molecular beam epitaxy processes of compound semiconductors by reflectance difference spectroscopy and reflection high energy electron diffraction 反射差分光法と高速電子線折法による化合物半導体の分子線エピタキシ過程の研究

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著者

    • 鄭, 炫墩 チョン, ヒョンドン

書誌事項

タイトル

Study of molecular beam epitaxy processes of compound semiconductors by reflectance difference spectroscopy and reflection high energy electron diffraction

タイトル別名

反射差分光法と高速電子線折法による化合物半導体の分子線エピタキシ過程の研究

著者名

鄭, 炫墩

著者別名

チョン, ヒョンドン

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第6930号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. Table of contents / p4 (0007.jp2)
  2. Abstract of Dissertation / p2 (0005.jp2)
  3. Chapter 1 Introduction / p1 (0010.jp2)
  4. 1.1 Reflectance Difference Spectroscopy / p1 (0010.jp2)
  5. 1.2 RDS as an in-situ analysis tool / p3 (0012.jp2)
  6. 1.3 Previous RDS studies / p5 (0014.jp2)
  7. 1.4 Introduction to RHEED / p9 (0018.jp2)
  8. 1.5 Motivation of this study / p12 (0021.jp2)
  9. 1.6 The scope of dissertation / p14 (0023.jp2)
  10. References / p15 (0024.jp2)
  11. Chapter 2 Experimental / p17 (0026.jp2)
  12. 2.1 Experimental set-up / p17 (0026.jp2)
  13. 2.2 Optical formalism of RDS / p20 (0029.jp2)
  14. Chapter 3 Nitridation Mechanism on (001)-GaAs surface / p25 (0034.jp2)
  15. 3.1 Motivation and previous studies / p27 (0036.jp2)
  16. 3.2 Experiment / p29 (0038.jp2)
  17. 3.3 Nitridation process on (001)-GaAs surface / p31 (0040.jp2)
  18. 3.4 The MBE process of GaAsN(N<0.04)on GaAs / p54 (0063.jp2)
  19. 3.5 Discussion / p58 (0067.jp2)
  20. 3.6 Summary / p64 (0073.jp2)
  21. References / p66 (0075.jp2)
  22. Chapter 4 Investigation of the surfactant effect of Sn on Zn(Cd)Se MBE growth / p68 (0077.jp2)
  23. 4.1 Motivation and previous studies / p70 (0079.jp2)
  24. 4.2 Experiment / p74 (0083.jp2)
  25. 4.3 Surface properties in the process of epitaxial growth of ZnSe / p76 (0085.jp2)
  26. 4.4 Effect of initial surface reconstruction for Sn deposition on the behavior of Sn in ZnSe growth / p80 (0089.jp2)
  27. 4.5 Effect of Sn surfactant on the heteroepitaxial growth of CdSe on ZnSe / p95 (0104.jp2)
  28. 4.6 Discussion / p105 (0114.jp2)
  29. 4.7 Summary / p106 (0115.jp2)
  30. References / p108 (0117.jp2)
  31. Chapter 5 Conclusion / p110 (0119.jp2)
  32. Appendix III Analytical data on MBE grown GaAsN layer described in Chapter 3 / p117 (0122.jp2)
  33. Appendix VI Growth modes in epitaxy / p120 (0125.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000170949
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000171223
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000335263
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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