GaAs分子層成長静電誘導型障壁の電気伝導機構

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著者

    • 柳, 永勛 リュウ, エイクン

書誌事項

タイトル

GaAs分子層成長静電誘導型障壁の電気伝導機構

著者名

柳, 永勛

著者別名

リュウ, エイクン

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第6974号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 第一章 序論 / p1 (0007.jp2)
  2. 1.1 本研究の背景 / p1 (0007.jp2)
  3. 1.2 GaAs分子層エピタキシー / p6 (0012.jp2)
  4. 1.3 試料作製及び実験方法 / p19 (0025.jp2)
  5. 1.4 本研究の目的と本論文の構成 / p29 (0035.jp2)
  6. 第二章PDBにおける熱電子放出機構 / p31 (0037.jp2)
  7. 2.1 PDBにおける従来の研究と本研究との関係 / p31 (0037.jp2)
  8. 2.2 PDB試料の特徴 / p32 (0038.jp2)
  9. 2.3 C-V測定とインピーダンス測定 / p34 (0040.jp2)
  10. 2.4 電流-電圧特性の温度依存性 / p38 (0044.jp2)
  11. 2.5 三角障壁モデル計算 / p42 (0048.jp2)
  12. 2.6 理論計算結果と実験結果との比較 / p57 (0063.jp2)
  13. 2.7 小括 / p68 (0074.jp2)
  14. 第三章 PDBにおけるトンネル機構 / p70 (0076.jp2)
  15. 3.1 任意ポテンシャル障壁とトンネル確率 / p70 (0076.jp2)
  16. 3.2 三角障壁モデルとトンネル機構 / p77 (0083.jp2)
  17. 3.3 有効トンネル幅 / p79 (0085.jp2)
  18. 3.4 トンネル確率 / p82 (0088.jp2)
  19. 3.5 トンネル電流 / p85 (0091.jp2)
  20. 3.6 理論計算結果と実験結果との比較 / p93 (0100.jp2)
  21. 3.7 小括 / p99 (0106.jp2)
  22. 第四章 PDBにおける受光特性と衝突イオン化現象 / p101 (0108.jp2)
  23. 4.1 p-i-nフォトダイオードの動作原理 / p101 (0108.jp2)
  24. 4.2 PDBにおける光電流の増幅原理 / p106 (0113.jp2)
  25. 4.3 PDBにおける光効果の実験結果 / p107 (0114.jp2)
  26. 4.4 衝突イオン化による電流急増現象 / p116 (0123.jp2)
  27. 4.5 電流急増機構 / p123 (0130.jp2)
  28. 4.6 小括 / p129 (0136.jp2)
  29. 第五章 室温トンネル素子設計 / p131 (0138.jp2)
  30. 5.1 共鳴トンネル素子構造と動作原理 / p131 (0138.jp2)
  31. 5.2 超薄膜障壁構造の特徴 / p135 (0142.jp2)
  32. 5.3 実験結果 / p137 (0144.jp2)
  33. 5.4 三角障壁モデル計算 / p146 (0153.jp2)
  34. 5.5 放物線型障壁モデル計算 / p151 (0158.jp2)
  35. 5.6 伝導帯電子注入型タンネット・ダイオードの設計 / p170 (0177.jp2)
  36. 5.7 小括 / p183 (0190.jp2)
  37. 第六章 総括 / p185 (0192.jp2)
  38. 謝辞 / p190 (0197.jp2)
  39. 参考文献 / p191 (0198.jp2)
  40. 対外発表論文 / p199 (0206.jp2)
  41. 付録A:記号表 / p200 (0207.jp2)
  42. 付録B:PDBにおけるポテンシャル分布の解析 / p203 (0210.jp2)
  43. 付録C:UTBにおけるトンネル確率の解析 / p205 (0212.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000170993
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000171267
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000335307
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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