微結晶シリコンの構造及び欠陥の研究

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著者

    • 惠原, 貴志 エハラ, タカシ

書誌事項

タイトル

微結晶シリコンの構造及び欠陥の研究

著者名

惠原, 貴志

著者別名

エハラ, タカシ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士(理学)

学位授与番号

乙第7631号

学位授与年月日

1999-01-20

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第一章 序論 / p2 (0006.jp2)
  3. 1-1 本研究の背景 / p2 (0006.jp2)
  4. 1-2 微結晶シリコンの定義 / p3 (0007.jp2)
  5. 1-3 微結晶シリコンの分類 / p3 (0007.jp2)
  6. 1-4 微結晶シリコンの研究の歴史 / p5 (0009.jp2)
  7. 1-5 本研究の目的 / p8 (0012.jp2)
  8. 第二章 微結晶シリコンの作成 / p15 (0019.jp2)
  9. 2-1 プラズマCVD法 / p15 (0019.jp2)
  10. 2-2 スパッタ法 / p25 (0029.jp2)
  11. 第三章 測定法とその原理 / p42 (0046.jp2)
  12. 3-1 光学特性の測定法 / p42 (0046.jp2)
  13. 3-2 構造特性の測定法 / p46 (0050.jp2)
  14. 3-3 欠陥特性の評価法 / p53 (0057.jp2)
  15. 3-4 電気特性の評価法 / p56 (0060.jp2)
  16. 第四章 窒素ドープ水素化微結晶シリコンの構造特性 / p63 (0067.jp2)
  17. 4-1 緒言 / p63 (0067.jp2)
  18. 4-2 実験の手法 / p65 (0069.jp2)
  19. 4-3 結果 / p66 (0070.jp2)
  20. 4-4 考察 / p89 (0093.jp2)
  21. 第五章 SiO₂埋め込み型微結晶シリコンの構造特性に対する窒素ドープの効果 / p99 (0103.jp2)
  22. 5-1 緒言 / p99 (0103.jp2)
  23. 5-2 実験の手法 / p101 (0105.jp2)
  24. 5-3 結果 / p104 (0108.jp2)
  25. 5-4 考察 / p118 (0122.jp2)
  26. 第六章 非水素化微結晶シリコンおよびSiO₂埋め込み型微結晶シリコンの常磁性欠陥 / p130 (0134.jp2)
  27. 6-1 緒言 / p130 (0134.jp2)
  28. 6-2 実験の手法 / p132 (0136.jp2)
  29. 6-3 結果 / p134 (0138.jp2)
  30. 6-4 考察 / p148 (0152.jp2)
  31. 第七章 窒素ドープ水素化微結晶シリコンの電気特性と常磁性欠陥 / p163 (0167.jp2)
  32. 7-1 緒言 / p163 (0167.jp2)
  33. 7-2 実験の手法 / p165 (0169.jp2)
  34. 7-3 結果 / p166 (0170.jp2)
  35. 7-4 考察 / p184 (0188.jp2)
  36. 第八章 総括 / p196 (0200.jp2)
  37. 8-1 本研究で得られた成果 / p196 (0200.jp2)
  38. 8-2 今後の課題と展望 / p198 (0202.jp2)
  39. 謝辞 / p200 (0204.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000171227
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000171501
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000335541
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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