分子線エピタキシー法によるPb[1-x]Sn[x]Seの結晶成長に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
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分子線エピタキシー法によるPb[1-x]Sn[x]Seの結晶成長に関する研究
- Author
-
鈴木, 正宣
- Author(Another name)
-
スズキ, マサノブ
- University
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東北大学
- Types of degree
-
博士(工学)
- Grant ID
-
乙第7641号
- Degree year
-
1999-02-10
Note and Description
博士論文
博士学位論文 (Thesis(doctor))
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1.1 緒言 / p1 (0006.jp2)
- 1.2 Pb-Snカルコゲナイドの基礎的性質 / p4 (0009.jp2)
- 1.3 Pb-Snカルコゲナイドの結晶成長および技術開発の歴史的概観 / p7 (0012.jp2)
- 1.4 本研究の意義と目的 / p17 (0022.jp2)
- 1.5 本論文の構成(概要) / p18 (0023.jp2)
- 1.6 結言 / p19 (0024.jp2)
- 参考文献 / p20 (0025.jp2)
- 第2章 MBE法による[化学式]の結晶成長 / p27 (0032.jp2)
- 2.1 緒言 / p27 (0032.jp2)
- 2.2 分子線エピタキシー / p29 (0034.jp2)
- 2.3 エピタキシャル薄膜の結晶性と表面モフォロジー / p53 (0058.jp2)
- 2.4 結言 / p90 (0095.jp2)
- 参考文献 / p94 (0099.jp2)
- 第3章 [化学式]エピクキシャル薄膜の電気的特性 / p96 (0101.jp2)
- 3.1 緒言 / p96 (0101.jp2)
- 3.2 電気的測定 / p98 (0103.jp2)
- 3.3 アンドープ薄膜の電気的特性 / p98 (0103.jp2)
- 3.4 不純物添加<ドーピング>薄膜の電気的特性 / p103 (0108.jp2)
- 3.5 結言 / p122 (0127.jp2)
- 参考文献 / p126 (0131.jp2)
- 第4章 [化学式]エピタキシャル薄膜の光学的特性 / p129 (0134.jp2)
- 4.1 緒言 / p129 (0134.jp2)
- 4.2 光学諸定数の算出法 / p131 (0136.jp2)
- 4.3 エピタキシャル薄膜の光学的特性 / p136 (0141.jp2)
- 4.4 結言 / p147 (0152.jp2)
- 参考文献 / p149 (0154.jp2)
- 第5章 結論 / p152 (0157.jp2)
- 謝辞 / p157 (0162.jp2)
- 付録 / p158 (0163.jp2)