反応性イオンビームを用いた半導体光素子の作製

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著者

    • 吉川, 隆士 ヨシカワ, タカシ

書誌事項

タイトル

反応性イオンビームを用いた半導体光素子の作製

著者名

吉川, 隆士

著者別名

ヨシカワ, タカシ

学位授与大学

慶応義塾大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

乙第3237号

学位授与年月日

1999-02-05

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. [目次] / p1 (0005.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  4. 1-1 本研究の背景 / p1 (0007.jp2)
  5. 1-2 本論文の構成 / p5 (0009.jp2)
  6. [第1章の参考文献] / p6 (0010.jp2)
  7. 第2章 化合物半導体のドライエッチング / p7 (0010.jp2)
  8. 2-1 ドライエッチング法(一般論) / p7 (0010.jp2)
  9. 2-2 RIBEによるGaAs微細加工 / p12 (0013.jp2)
  10. 2-3 結語 / p15 (0014.jp2)
  11. [第2章の参考文献] / p16 (0015.jp2)
  12. 第3章 塩素RIBEによるInP系材料のエッチング / p17 (0015.jp2)
  13. 3-1 緒言 / p17 (0015.jp2)
  14. 3-2 IBAEを用いたInPエッチング・パラメータの検討 / p19 (0016.jp2)
  15. 3-3 RIBEによる平滑垂直エッチング / p24 (0019.jp2)
  16. 3-4 高温低ガス圧高エネルギー・エッチング / p29 (0021.jp2)
  17. 3-5 結語 / p43 (0028.jp2)
  18. [第3章の参考文献] / p44 (0029.jp2)
  19. 第4章 塩素RIBEによる光素子の作製 / p46 (0030.jp2)
  20. 4-1 緒言 / p46 (0030.jp2)
  21. 4-2 InP系長波PBH-LD / p47 (0030.jp2)
  22. 4-3 導波路pin-PDの作製 / p52 (0033.jp2)
  23. 4-4 AlGaInP/GaInP赤色LD / p54 (0034.jp2)
  24. 4-5 結語 / p62 (0038.jp2)
  25. [第4章の参考文献] / p63 (0038.jp2)
  26. 第5章 塩素RIBEを用いた高機能光素子の作製と評価 / p64 (0039.jp2)
  27. 5-1 緒言 / p64 (0039.jp2)
  28. 5-2 VCSELの作製と評価 / p66 (0040.jp2)
  29. 5-3 偏光制御されたVCSELアレイの特性 / p73 (0043.jp2)
  30. 5-4 その他のポスト形状による偏光制御 / p78 (0046.jp2)
  31. 5-5 RINの低減 / p81 (0047.jp2)
  32. 5-6 結語 / p84 (0049.jp2)
  33. [第5章の参考文献] / p85 (0049.jp2)
  34. 第6章 ドライエッチング技術の改良 / p87 (0050.jp2)
  35. 6-1 緒言 / p87 (0050.jp2)
  36. 6-2 真空一貫プロセス / p88 (0051.jp2)
  37. 6-3 結語 / p101 (0057.jp2)
  38. [第6章の参考文献] / p102 (0058.jp2)
  39. 第7章 結論 / p103 (0058.jp2)
  40. 謝辞 / p104 (0059.jp2)
  41. 本論文に関係した研究論文及び研究発表等 / p106 (0060.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000171493
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000171767
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000335807
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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