反応性イオンビームを用いた半導体光素子の作製
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Bibliographic Information
- Title
-
反応性イオンビームを用いた半導体光素子の作製
- Author
-
吉川, 隆士
- Author(Another name)
-
ヨシカワ, タカシ
- University
-
慶応義塾大学
- Types of degree
-
博士(工学)
- Grant ID
-
乙第3237号
- Degree year
-
1999-02-05
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 論文目録 / (0001.jp2)
- [目次] / p1 (0005.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1-1 本研究の背景 / p1 (0007.jp2)
- 1-2 本論文の構成 / p5 (0009.jp2)
- [第1章の参考文献] / p6 (0010.jp2)
- 第2章 化合物半導体のドライエッチング / p7 (0010.jp2)
- 2-1 ドライエッチング法(一般論) / p7 (0010.jp2)
- 2-2 RIBEによるGaAs微細加工 / p12 (0013.jp2)
- 2-3 結語 / p15 (0014.jp2)
- [第2章の参考文献] / p16 (0015.jp2)
- 第3章 塩素RIBEによるInP系材料のエッチング / p17 (0015.jp2)
- 3-1 緒言 / p17 (0015.jp2)
- 3-2 IBAEを用いたInPエッチング･パラメータの検討 / p19 (0016.jp2)
- 3-3 RIBEによる平滑垂直エッチング / p24 (0019.jp2)
- 3-4 高温低ガス圧高エネルギー･エッチング / p29 (0021.jp2)
- 3-5 結語 / p43 (0028.jp2)
- [第3章の参考文献] / p44 (0029.jp2)
- 第4章 塩素RIBEによる光素子の作製 / p46 (0030.jp2)
- 4-1 緒言 / p46 (0030.jp2)
- 4-2 InP系長波PBH-LD / p47 (0030.jp2)
- 4-3 導波路pin-PDの作製 / p52 (0033.jp2)
- 4-4 AlGaInP/GaInP赤色LD / p54 (0034.jp2)
- 4-5 結語 / p62 (0038.jp2)
- [第4章の参考文献] / p63 (0038.jp2)
- 第5章 塩素RIBEを用いた高機能光素子の作製と評価 / p64 (0039.jp2)
- 5-1 緒言 / p64 (0039.jp2)
- 5-2 VCSELの作製と評価 / p66 (0040.jp2)
- 5-3 偏光制御されたVCSELアレイの特性 / p73 (0043.jp2)
- 5-4 その他のポスト形状による偏光制御 / p78 (0046.jp2)
- 5-5 RINの低減 / p81 (0047.jp2)
- 5-6 結語 / p84 (0049.jp2)
- [第5章の参考文献] / p85 (0049.jp2)
- 第6章 ドライエッチング技術の改良 / p87 (0050.jp2)
- 6-1 緒言 / p87 (0050.jp2)
- 6-2 真空一貫プロセス / p88 (0051.jp2)
- 6-3 結語 / p101 (0057.jp2)
- [第6章の参考文献] / p102 (0058.jp2)
- 第7章 結論 / p103 (0058.jp2)
- 謝辞 / p104 (0059.jp2)
- 本論文に関係した研究論文及び研究発表等 / p106 (0060.jp2)