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水素プラズマ処理によるMOSデバイスの電気的特性変化

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著者

    • 塚本, 敬一 ツカモト, ケイイチ

書誌事項

タイトル

水素プラズマ処理によるMOSデバイスの電気的特性変化

著者名

塚本, 敬一

著者別名

ツカモト, ケイイチ

学位授与大学

九州大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第4551号

学位授与年月日

1999-01-29

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 水素プラズマのデバイスプロセスヘの応用 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 水素プラズマ処理により半導体が受けると予想される効果 / p2 (0006.jp2)
  5. 1.3 本研究の目的 / p4 (0008.jp2)
  6. 第2章 水素プラズマによるMOSデバイス電気的特性変化 / p9 (0013.jp2)
  7. 2.1 テスト構造の製作工程 / p9 (0013.jp2)
  8. 2.2 電気的特性測定に用いたテスト構造 / p12 (0016.jp2)
  9. 2.3 プラズマ処理方法と装置 / p19 (0023.jp2)
  10. 2.4 電気的特性の評価結果 / p21 (0025.jp2)
  11. 2.5 プラズマ処理によるp-MOSデバイスの特性変化に対する考察 / p29 (0033.jp2)
  12. 2.6 第2章のまとめ / p33 (0037.jp2)
  13. 第3章 超LSIに用いられる薄膜中での水素原子拡散 / p35 (0039.jp2)
  14. 3.1 実験方法 / p35 (0039.jp2)
  15. 3.2 清浄表面p⁺型Siでの予備実験結果 / p39 (0043.jp2)
  16. 3.3 薄膜成長した試料でのキャリアプロファイル / p41 (0045.jp2)
  17. 3.4 基板中のキャリアプロファイル変化に対する考察 / p50 (0054.jp2)
  18. 3.5 キャリアプロファイルの差分法によるシミュレーション / p60 (0064.jp2)
  19. 3.6 第3章のまとめ / p66 (0070.jp2)
  20. 第4章 短チャネルデバイスへの電気的不活性化の影響予測 / p68 (0072.jp2)
  21. 4.1 シミュレーションを行うMOSFET構造と評価項目 / p68 (0072.jp2)
  22. 4.2 MOSFETの不純物プロファイル設計 / p70 (0074.jp2)
  23. 4.3 シミュレーション結果 / p71 (0075.jp2)
  24. 4.4 第4章のまとめ / p81 (0085.jp2)
  25. 第5章 結論 / p83 (0087.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000171527
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000171801
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000335841
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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