超音速フリージェットによるシリコンカーバイド薄膜の形成に関する基礎的研究

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著者

    • 生駒, 嘉史 イコマ, ヨシフミ

書誌事項

タイトル

超音速フリージェットによるシリコンカーバイド薄膜の形成に関する基礎的研究

著者名

生駒, 嘉史

著者別名

イコマ, ヨシフミ

学位授与大学

九州大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第4712号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 SiCの物理・化学的性質と結晶成長 / p5 (0009.jp2)
  5. 1.3 3C-SiC/Siヘテロ構造の性質と形成時の問題点 / p13 (0017.jp2)
  6. 1.4 超音速フリージェットの性質と薄膜形成への応用 / p21 (0025.jp2)
  7. 1.5 本研究の目的 / p30 (0034.jp2)
  8. 1.6 論文の構成 / p30 (0034.jp2)
  9. 第1章参考文献 / p31 (0035.jp2)
  10. 第2章 Si(CH₃)₄-Si₃H₈混合ガス超音速フリージェットによる3C-SiC/Si(100)ヘテロエピタキシャル成長に関する研究 / p35 (0039.jp2)
  11. 2.1 序論 / p35 (0039.jp2)
  12. 2.2 実験 / p36 (0040.jp2)
  13. 2.3 実験結果および考察 / p40 (0044.jp2)
  14. 2.4 結論 / p50 (0054.jp2)
  15. 第2章参考文献 / p51 (0055.jp2)
  16. 第3章 CH₃SiH₃超音速フリージェットによる3C-SiC/Si(100)ヘテロエピタキシャル成長に関する研究 / p52 (0056.jp2)
  17. 3.1 序論 / p52 (0056.jp2)
  18. 3.2 実験方法 / p54 (0058.jp2)
  19. 3.3 実験結果および考察 / p55 (0059.jp2)
  20. 3.4 結論 / p69 (0073.jp2)
  21. 第3章参考文献 / p70 (0074.jp2)
  22. 第4章 Si/3C-SiC/Si(100)ヘテロ構造の形成に関する研究 / p71 (0075.jp2)
  23. 4.1 序論 / p71 (0075.jp2)
  24. 4.2 実験方法 / p72 (0076.jp2)
  25. 4.3 実験結果および考察 / p74 (0078.jp2)
  26. 4.4 結論 / p87 (0091.jp2)
  27. 第4章参考文献 / p88 (0092.jp2)
  28. 第5章 3C-SiC/Si/3C-SiC/Si(100)ヘテロ構造と共鳴トンネルダイオードの形成 / p89 (0093.jp2)
  29. 5.1 序論 / p89 (0093.jp2)
  30. 5.2 実験方法 / p90 (0094.jp2)
  31. 5.3 実験結果および考察 / p92 (0096.jp2)
  32. 5.4 結論 / p106 (0110.jp2)
  33. 第5章参考文献 / p107 (0111.jp2)
  34. 第6章 結論 / p108 (0112.jp2)
  35. 謝辞 / p110 (0114.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000171688
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000171962
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000336002
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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